[發明專利]透光型薄膜太陽能電池模塊及其制造方法有效
| 申請號: | 200710008129.7 | 申請日: | 2007-01-26 |
| 公開(公告)號: | CN101232058A | 公開(公告)日: | 2008-07-30 |
| 發明(設計)人: | 吳建樹;羅毅榮 | 申請(專利權)人: | 財團法人工業技術研究院 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/042;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 陶鳳波 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透光 薄膜 太陽能電池 模塊 及其 制造 方法 | ||
1.一種透光型薄膜太陽能電池模塊的制造方法,包括:
在透明基板上形成第一電極材料層;
移除部分該第一電極材料層,以形成可將該第一電極材料層分隔成多個帶狀電極材料層的多條第一Y方向開口,以及相交該第一Y方向開口的多條第一X方向開口,使該第一電極材料層分隔成第一梳型電極與二維排列的多塊第一電極;
形成光電轉換層,覆蓋該透明基板、該第一電極與部分該第一梳型電極;
移除部分該光電轉換層,以于該第一電極上方形成相對平行該第一Y方向開口的多條第二Y方向開口;
形成第二電極材料層,覆蓋該光電轉換層、該第一電極與該透明基板;以及
移除部分該第二電極材料層與部分該光電轉換層,以形成暴露出該第一電極表面的多條第三Y方向開口,以及于該第一X方向開口中形成多條第二X方向開口,使該第二電極材料層分隔成第二梳型電極與二維排列的多塊第二電極。
2.如權利要求1所述的透光型薄膜太陽能電池模塊的制造方法,其中在移除部分該光電轉換層以形成該第二Y方向開口時,更包括于該第一X方向開口中形成多條第三X方向開口。
3.如權利要求2所述的透光型薄膜太陽能電池模塊的制造方法,其中該第三X方向開口是利用激光切割方式制備。
4.如權利要求1所述的透光型薄膜太陽能電池模塊的制造方法,其中該第一、第二、第三Y方向開口以及該第一、第二X方向開口是利用激光切割方式制備。
5.如權利要求1所述的透光型薄膜太陽能電池模塊的制造方法,其中該第一電極材料層為透明導電氧化物層。
6.如權利要求1所述的透光型薄膜太陽能電池模塊的制造方法,其中該光電轉換層為單層結構或堆迭層結構。
7.如權利要求1所述的透光型薄膜太陽能電池模塊的制造方法,其中該光電轉換層的材質為非結晶硅及其合金、硫化鎘、銅銦鎵二硒、銅銦二硒、碲化鎘、有機材料或上述材料堆迭之多層結構。
8.如權利要求1所述的透光型薄膜太陽能電池模塊的制造方法,其中該第二電極材料層為金屬層。
9.一種透光型薄膜太陽能電池模塊,其具有彼此串聯的多顆電池,在該電池之間暴露出透明基板的多條開口,該模塊包括:
第一電極,配置在該透明基板上,且該第一電極是由第一梳型電極與二維排列的多塊第一電極組成;
第二電極,配置在該第一電極上方,且該第二電極是由第二梳型電極與二維排列的多塊第二電極組成,
其中該第二梳型電極與該第一梳型電極是以左右方式配置,而該第一、第二電極是以平行位移方式配置;以及
光電轉換層,配置于該第一電極與該第二電極之間,該光電轉換層是由二維排列的多個光轉換材料層所組成。
10.如權利要求9所述的透光型薄膜太陽能電池模塊,其中該第一電極為透明導電氧化物層。
11.如權利要求9所述的透光型薄膜太陽能電池模塊,其中該光電轉換層為單層結構或堆迭層結構。
12.如權利要求9所述的透光型薄膜太陽能電池模塊,其中該光電轉換層的材質為非結晶硅及其合金、硫化鎘、銅銦鎵二硒、銅銦二硒、碲化鎘、有機材料或上述材料堆迭之多層結構。
13.如權利要求9所述的透光型薄膜太陽能電池模塊,其中該第二電極為金屬層。
14.一種透光型薄膜太陽能電池模塊的制造方法,包括:
在透明基板上形成第一電極材料層;
移除部分該第一電極材料層,以形成可將該第一電極材料層分隔成多個帶狀電極材料層的多條第一Y方向開口,以及相交該第一Y方向開口且呈二維排列的多條第一X方向開口,使該第一電極材料層成為多個第一窗型電極;
形成光電轉換層,以覆蓋該第一窗型電極與該透明基板;
移除部分該光電轉換層,以于該第一窗型電極上方形成相對平行該第一Y方向開口的多條第二Y方向開口;
于該光電轉換層上形成第二電極材料層;以及
移除部分該第二電極材料層與部分該光電轉換層,以形成暴露出該第一窗型電極表面的多條第三Y方向開口,以及于該第一X方向開口中形成多條第二X方向開口,使該第二電極材料層成為多個第二窗型電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





