[發明專利]浸潤式光刻系統用的潔凈膜清洗片、成分、用法及其應用

無效

• 申請號: 200710008126.3
• 申請日: 2007-01-26
• 公開（公告）號: CN101231469A
• 公開（公告）日: 2008-07-30
• 發明（設計）人: 黃義雄;林陵杰
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/00;B08B3/08;B08B3/02;C11D1/88
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 張平元;趙仁臨

1.一種半導體機臺的物鏡的清洗方法，包括：

提供清洗片，該清洗片包括晶圓與潔凈膜，該潔凈膜包括潔凈成分；

提供第一溶劑，溶解部分該潔凈膜的該潔凈成分，并使該潔凈成分與該物鏡上的污染物反應；以及

以第二溶劑沖洗該物鏡。

2.根據權利要求1的半導體機臺的物鏡的清洗方法，還包括：

相對移動該物鏡與該清洗片；

以該第一溶劑，溶解另一部分的該潔凈膜的該潔凈成分，以使該潔凈成分與該物鏡上的污染物反應；

以該第二溶劑沖洗該物鏡；以及

重復上述步驟，直至該物鏡完全洗凈。

3.根據權利要求1的半導體機臺的物鏡的清洗方法，其中該清洗片是采用形成光阻層的工藝來形成的。

4.根據權利要求3的半導體機臺的物鏡的清洗方法，其中該形成光阻層的工藝包括：

提供組合物，該組合物包含該潔凈成分；

將該組合物涂布在該晶圓上，以形成涂層；以及

烘烤該涂層，以形成該潔凈膜。

5.根據權利要求3的半導體機臺的物鏡的清洗方法，其中該組合物包括：

5-20％重量的至少一表面活性劑作為該潔凈成分；

5-25％重量的成形劑；

選擇性包括1-5％重量的添加劑；以及

至少一第三溶劑，該第三溶劑、該表面活性劑、該成形劑以及選擇性包括的該添加劑的總和為100％重量。

6.根據權利要求5的半導體機臺的物鏡的清洗方法，其中該表面活性劑包括兩性表面活性劑。

7.根據權利要求5的半導體機臺的物鏡的清洗方法，其中該溶劑選自異丙醇與丙二醇甲醚乙酸酯(propylene?glycol?monomethylethyl?acetate，PGMEA)及其組合。

8.根據權利要求5的半導體機臺的物鏡的清洗方法，其中該添加劑包括除藻劑或抑菌劑。

9.根據權利要求5的半導體機臺的物鏡的清洗方法，其中該成形劑選自酚醛清漆樹脂(novolac?resin)、聚羥基苯乙烯樹脂(polyhydroxy?styreneresin)、丙烯酸酯(acrylate)、甲基丙烯酸酯(methacrylate)、環烯烴(cyclic?olefin)、交替型共聚物(alternating?copolymer)、混合型聚合物(hybrid?polymer)以及環狀聚合物(cyclo?polymer)及其組合。

10.根據權利要求1的半導體機臺的物鏡的清洗方法，其中該第一溶劑與該第二溶劑包括水或經過超聲波振蕩的水。

11.一種原位清洗浸潤式光刻系統的曝光裝置的物鏡的方法，包括：

在該曝光裝置的掃瞄支座上提供清洗片，該清洗片包括晶圓與潔凈膜，該潔凈膜包括潔凈成分；

在該曝光裝置的該掃瞄支座上方的浸潤腔室中持續通入第一溶劑，以溶解部分該潔凈膜的該潔凈成分，使該潔凈成分與該物鏡上的污染物反應；以及

于該浸潤室中通入第二溶劑，以沖洗該物鏡。

12.根據權利要求11的原位清洗光刻系統的曝光裝置的物鏡的方法，還包括：

相對移動該曝光裝置與該清洗片；

在該曝光裝置的該浸潤腔室中再提供該第一溶劑，溶解另一部分的該潔凈膜的該潔凈成分，使該潔凈成分與該物鏡上的污染物反應；

以該第二溶劑沖洗該物鏡；以及

重復上述步驟，直至該物鏡完全洗凈。

13.根據權利要求11的原位清洗光刻系統的曝光裝置的物鏡的方法，其中該清洗片是采用形成光阻層的工藝來形成的。

14.根據權利要求13的原位清洗光刻系統的曝光裝置的物鏡的方法，其中該形成光阻層的工藝包括：

提供組合物，該組合物包含該潔凈成分；

將該組合物涂布在該晶圓上，以形成涂層；以及

烘烤該涂層，以形成該潔凈膜。