[發明專利]鑲嵌內連線結構與雙鑲嵌工藝

有效

• 申請號: 200710008111.7
• 申請日: 2007-01-26
• 公開（公告）號: CN101231968A
• 公開（公告）日: 2008-07-30
• 發明（設計）人: 黃俊仁;賴育聰;姚志成;廖俊雄
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/311;H01L23/522
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種鑲嵌工藝，包含有以下的步驟：

提供襯底，其具有底層介電層、形成在該底層介電層中的下層導電層，以及覆蓋住該下層導電層及該底層介電層的蓋層；

于該蓋層上沉積介電層；

于該介電層中蝕刻出開口，暴露出部分的該蓋層；以及

進行襯墊層蝕除工藝，利用四氟化碳/三氟化氮氣體等離子，選擇性地蝕除經由該開口暴露出來的該蓋層，以暴露出部分的該下層導電層以及該底層介電層，形成通路開口，其中于該通路開口的底部，該下層導電層及該底層介電層之間的落差僅小于150埃。

2.如權利要求1所述的一種鑲嵌工藝，其中該蓋層為摻雜氮的碳化硅。

3.如權利要求1所述的一種鑲嵌工藝，其中該蓋層包含有摻雜氮的碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氧化硅。

4.如權利要求1所述的一種鑲嵌工藝，其中該蓋層的厚度介于300至800埃之間。

5.如權利要求1所述的一種鑲嵌工藝，其中該介電層的介電常數小于3。

6.如權利要求1所述的一種鑲嵌工藝，其中該介電層包含有機硅酸鹽玻璃。

7.如權利要求1所述的一種鑲嵌工藝，其中該介電層包含有碳氫摻雜的硅氧介電層。

8.如權利要求1所述的一種雙鑲嵌工藝，其中該襯墊層蝕除工藝，所利用的四氟化碳與三氟化氮氣體的流量比為3∶1。

9.一種雙鑲嵌工藝，包含有以下的步驟：

提供襯底，其具有底層介電層、形成在該底層介電層中的下層導電層，以及覆蓋住該下層導電層及該底層介電層的蓋層；

于該蓋層上沉積介電層；

于該介電層上沉積硅氧層；

于該硅氧層上形成金屬硬掩模；

于該金屬硬掩模及該硅氧層中蝕刻出溝槽凹口；

經由該溝槽凹口，于該硅氧層中以及該介電層中蝕刻出部分通路開口；

將該溝槽凹口以及該部分通路開口以蝕刻方式轉移至該介電層中，藉此于該介電層形成雙鑲嵌開口，包括溝槽開口以及通路開口，其中該通路開口暴露出部分的該蓋層；以及

進行襯墊層蝕除工藝，利用一四氟化碳/三氟化氮氣體等離子，選擇性地蝕除經由該通路開口暴露出來的該蓋層，以暴露出部分的該下層導電層以及該底層介電層。

10.如權利要求9所述的一種雙鑲嵌工藝，其中該蓋層為摻雜氮的碳化硅。

11.如權利要求9所述的一種雙鑲嵌工藝，其中該蓋層包含有摻雜氮的碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氧化硅。

12.如權利要求9所述的一種雙鑲嵌工藝，其中該蓋層的厚度介于300至800埃之間。

13.如權利要求9所述的一種雙鑲嵌工藝，其中該介電層的介電常數小于3。

14.如權利要求9所述的一種雙鑲嵌工藝，其中該介電層包含有機硅酸鹽玻璃。

15.如權利要求9所述的一種雙鑲嵌工藝，其中該介電層包含有碳氫摻雜的硅氧介電層。

16.如權利要求9所述的一種雙鑲嵌工藝，其中硅氧層包含有四乙基氧硅烷硅氧層。

17.如權利要求9所述的一種雙鑲嵌工藝，其中該金屬硬掩模包含有氮化鈦、氮化鉭。

18.如權利要求9所述的一種雙鑲嵌工藝，其中該襯墊層蝕除工藝，所利用的四氟化碳與三氟化氮氣體的流量比為3∶1。

19.一種雙鑲嵌工藝，包含有以下的步驟：

提供襯底，其具有底層介電層、形成在該底層介電層中的下層導電層，以及覆蓋住該下層導電層及該底層介電層的蓋層；

于該蓋層上沉積介電層；

于該介電層上沉積硅氧層；

于該硅氧層上形成金屬硬掩模；

于該金屬硬掩模中形成溝槽凹口；

經由該溝槽凹口，蝕刻該硅氧層與該介電層，形成通路開口，使其暴露出部分的該蓋層；以及

進行襯墊層蝕除工藝，利用不含氫的氟烷氣體混合含氮氣體等離子，選擇性地蝕除經由該通路開口暴露出來的該蓋層，以暴露出部分的該下層導電層以及該底層介電層。

20.如權利要求19所述的一種雙鑲嵌工藝，其中該蓋層為摻雜氮的碳化硅。