[發明專利]快閃存儲裝置的制造方法

無效

• 申請號: 200710007959.8
• 申請日: 2007-02-01
• 公開（公告）號: CN101083230A
• 公開（公告）日: 2007-12-05
• 發明（設計）人: 樸丙洙
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種快閃存儲裝置的制造方法，所述方法包括：

在其中界定了單元區域、低電壓區域和高電壓區域的半導體襯底之上形成柵極；

使所述單元區域敞開同時覆蓋所述低電壓區域和所述高電壓區域來執行離子注入工藝，從而在所述半導體襯底中形成單元結；

在所述單元區域已被注入離子之后執行所述襯底的第一熱處理工藝，所述第一熱處理工藝執行不超過10分鐘；

在所述低電壓區域上執行低濃度離子注入工藝，同時覆蓋所述單元區域和所述高電壓區域；

將離子注入到所述高電壓區域中，同時覆蓋所述單元區域和所述低電壓區域；

在所述柵極的側壁上形成間隙壁；

在敞開的所述低電壓區域上執行高濃度離子注入工藝；以及

在所述高濃度離子注入工藝之后執行第二熱處理工藝。

2.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述第一熱處理工藝是快速熱退火工藝，并且

所述第二熱處理工藝是爐型熱處理工藝。

3.根據權利要求1所述的方法，其中在800至1200攝氏度的溫度范圍內執行所述第一熱處理工藝1秒至10分鐘。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一熱處理工藝應用了斜線上升方法，斜線上升速率設置在10至150攝氏度/秒的范圍內。

5.一種快閃存儲裝置的制造方法，所述方法包括：

在其中界定了單元區域、低電壓區域和高電壓區域的半導體襯底之上形成柵極；

將第一離子注入到所述單元區域中，同時覆蓋所述低電壓區域和所述高電壓區域，以在所述半導體襯底中形成單元結；

將第二離子注入到所述低電壓區域中，同時覆蓋所述單元區域和所述高電壓區域，所述第二離子注入的步驟是低濃度離子注入工藝；

將第三離子注入到所述高電壓區域中，同時覆蓋所述單元區域和所述低電壓區域；

在所述柵極的側壁上形成間隙壁；

將第四離子注入到所述低電壓區域中，所述第四離子注入的步驟是高濃度離子注入工藝；以及

在所述第四離子注入的步驟之后執行快速熱退火工藝以激活所述離子。

6.根據權利要求5所述的方法，其中在800至1200攝氏度的溫度范圍內執行所述快速熱退火工藝1秒至10分鐘。

7.根據權利要求5所述的方法，其中所述快速熱退火工藝應用了斜線上升方法，斜線上升速率設置在10至150攝氏度/秒的范圍內。

8.根據權利要求5所述的方法，其中執行所述注入第四離子的步驟同時覆蓋所述單元區域和所述高電壓區域。

9.一種快閃存儲裝置的制造方法，所述方法包括：

在其中界定了單元區域、低電壓區域和高電壓區域的半導體襯底之上形成柵極；

將第一離子注入到所述單元區域中以在所述單元區域中形成摻雜結，所述低電壓區域和所述高電壓區域被覆蓋以防止所述第一離子被注入到所述低電壓區域和所述高電壓區域中；以及

利用快速退火工藝來激活注入到所述單元區域中的第一離子。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述快速退火工藝執行不超過10分鐘。

11.根據權利要求9所述的方法，其中所述快速退火工藝使所述單元區域處的瞬時增強擴散的出現最小化。

12.根據權利要求9所述的方法，還包括：

將第二離子注入到所述低電區域中，同時覆蓋所述單元區域和所述高電壓區域，使得所述第二離子不被注入到所述單元區域和所述高電壓區域中；以及

將第三離子注入到所述高電壓區域中，同時覆蓋所述單元區域和所述低電壓區域，使得所述第三離子不被注入到所述單元區域和所述低電壓區域中。

13.根據權利要求12所述的方法，所述方法還包括：

將第四離子注入到所述低電壓區域中，同時覆蓋所述單元區域和所述高電壓區域，使得所述第四離子不被注入到所述單元區域和所述低電壓區域中；以及

執行熱處理工藝以激活至少所述第四離子。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述熱處理工藝激活所述第三離子。

15.根據權利要求12所述的方法，其中所述快速退火工藝激活至少所述第一離子和所述第二離子。