[發(fā)明專利]驗(yàn)證閃存器件的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710007524.3
• 申請(qǐng)日: 2007-02-01
• 公開（公告）號(hào): CN101071640A
• 公開（公告）日: 2007-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李珉圭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/06
• 分類號(hào): G11C16/06;G11C16/04;G11C29/08
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 楊生平;楊紅梅

技術(shù)領(lǐng)域

本專利一般地涉及一種閃存器件，并且更具體地，涉及一種使用頁(yè)面緩沖器來驗(yàn)證閃存器件的方法，其中可以減少編程或擦除的驗(yàn)證時(shí)間并且可以縮短總驅(qū)動(dòng)時(shí)間。

背景技術(shù)

近些年，對(duì)這種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的需求增加，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以進(jìn)行電編程和擦除并且不需要每隔一段時(shí)間重寫數(shù)據(jù)的刷新功能。另外，為了開發(fā)具有能夠存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的大容量的存儲(chǔ)器件，已經(jīng)開發(fā)了存儲(chǔ)器單元的高度集成技術(shù)。

為了提高存儲(chǔ)器單元的集成度，NAND閃存器件可以具有多個(gè)單元，將這些單元串聯(lián)以形成一串和共享一個(gè)接觸的兩串。在NAND閃存器件中，通過控制存儲(chǔ)器單元的閾值電壓同時(shí)借助F-N隧穿將電子注入到浮動(dòng)?xùn)胖袕母?dòng)?xùn)胖蟹懦鲭娮觼韴?zhí)行編程和擦除。

因此，由于浮動(dòng)?xùn)诺碾娮訌牟脸膯卧懦觯圆脸膯卧哂胸?fù)的閾值電壓。由于電子注入到編程單元的浮動(dòng)?xùn)胖校跃幊痰膯卧哂姓拈撝惦妷骸５牵贜AND閃存器件的情形中，可能由于電荷增益(gain)或電荷損失而出現(xiàn)失敗。可以執(zhí)行一些與這些特性有關(guān)的驗(yàn)證。為了驗(yàn)證編程和擦除是否已正常執(zhí)行，使用頁(yè)面緩沖器。

頁(yè)面緩沖器用于從I/O焊盤接收大量的數(shù)據(jù)并且將所接收的數(shù)據(jù)供給到存儲(chǔ)器單元或者存儲(chǔ)存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)且然后輸出所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。過去，頁(yè)面緩沖器由單個(gè)寄存器構(gòu)成以臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。現(xiàn)在，頁(yè)面緩沖器包括雙寄存器，以便在NAND閃存器件中在對(duì)大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行編程時(shí)增加編程的速度。

為了對(duì)具有雙寄存器結(jié)構(gòu)的頁(yè)面緩沖器的NAND閃存器件執(zhí)行擦除驗(yàn)證，使用一種列掃描方法：通過施加0V電壓到全部字線來確定所有單元是否已接通。在這種列掃描方法中，如果一個(gè)單元關(guān)斷則確定為失敗。

為了進(jìn)行擦除驗(yàn)證，以與普通讀取操作相同的方式，通過包括預(yù)充電、估算和感測(cè)的三個(gè)步驟，在所選位線上執(zhí)行擦除驗(yàn)證。在上述列掃描方法中，通過將位線分成偶數(shù)位線和奇數(shù)位線來實(shí)現(xiàn)擦除驗(yàn)證。相應(yīng)地，在偶數(shù)位線被驗(yàn)證之后，驗(yàn)證奇數(shù)位線。因此，通過兩次驗(yàn)證過程來確定是否已執(zhí)行擦除。這導(dǎo)致了長(zhǎng)的擦除驗(yàn)證時(shí)間。

同時(shí)，在多級(jí)單元中，擦除單元的閾值電壓分布對(duì)編程單元的閾值電壓有影響。因此，在已完成擦除的單元上執(zhí)行后置程序(post?program)。通過采用ISPP方法來執(zhí)行后置程序并且在后置程序之后執(zhí)行擦除驗(yàn)證。因此，如果擦除驗(yàn)證時(shí)間變長(zhǎng)，則延長(zhǎng)了總擦除時(shí)間。

另外，在編程時(shí)，以與上面相同的方式延長(zhǎng)了編程驗(yàn)證時(shí)間。因此，總編程時(shí)間變長(zhǎng)。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本專利解決了上述問題，并且公開了一種驗(yàn)證閃存器件的方法，其中可以縮短驗(yàn)證時(shí)間并縮短總驅(qū)動(dòng)時(shí)間。

本專利還公開了一種驗(yàn)證閃存器件的方法，其中對(duì)偶數(shù)位線和奇數(shù)位線同時(shí)進(jìn)行預(yù)充電和估算，且隨后順序地進(jìn)行感測(cè)，因此減少了驗(yàn)證時(shí)間。

本專利還公開了一種驗(yàn)證閃存器件的方法，其中通過對(duì)偶數(shù)位線和奇數(shù)位線同時(shí)進(jìn)行預(yù)充電和估算且隨后順序地對(duì)偶數(shù)位線和奇數(shù)位線進(jìn)行感測(cè)，與現(xiàn)有技術(shù)相比本方法可以將驗(yàn)證時(shí)間減少一半，且因此與現(xiàn)有技術(shù)相比可以將總驅(qū)動(dòng)時(shí)間減少2/3。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種驗(yàn)證閃存器件的方法，包括以下步驟：將分別連接到偶數(shù)位線和奇數(shù)位線的存儲(chǔ)器單元串放電；將電壓施加到分別連接到偶數(shù)位線和奇數(shù)位線的每個(gè)存儲(chǔ)器單元串，從而對(duì)存儲(chǔ)器單元串進(jìn)行預(yù)充電；通過對(duì)連接到偶數(shù)位線的存儲(chǔ)器單元串的狀態(tài)進(jìn)行感測(cè)來驗(yàn)證連接到該偶數(shù)位線的存儲(chǔ)器單元串是否已經(jīng)被擦除；并通過對(duì)連接到奇數(shù)位線的存儲(chǔ)器單元串的狀態(tài)進(jìn)行感測(cè)來驗(yàn)證連接到該奇數(shù)位線的存儲(chǔ)器單元串是否已經(jīng)被擦除。

在此專利中還描述了一種驗(yàn)證閃存器件的方法，包括：將分別連接到偶數(shù)位線和奇數(shù)位線的存儲(chǔ)器單元串放電；將電壓施加到分別連接到偶數(shù)位線和奇數(shù)位線的存儲(chǔ)器單元串，從而對(duì)存儲(chǔ)器單元串進(jìn)行預(yù)充電；通過對(duì)連接到偶數(shù)位線的存儲(chǔ)器單元串的狀態(tài)進(jìn)行感測(cè)來驗(yàn)證連接到偶數(shù)位線的存儲(chǔ)器單元串是否已經(jīng)被編程，以及通過對(duì)連接到奇數(shù)位線的存儲(chǔ)器單元串的狀態(tài)進(jìn)行感測(cè)來驗(yàn)證連接到奇數(shù)位線的存儲(chǔ)器單元串是否已經(jīng)被編程。