[發明專利]半導體器件的制造方法

無效

• 申請號: 200710007258.4
• 申請日: 2007-01-25
• 公開（公告）號: CN101140903A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發明（設計）人: 金守鎮
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01L21/8247;H01L21/76;H01L21/764;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在半導體襯底上提供多個柵極結構；

在所述柵極結構之間形成犧牲絕緣層；

將所述犧牲絕緣層蝕刻至低于每一所述柵極結構的高度，使得每一所述柵極結構的一部分暴露于所述犧牲絕緣層之上；

在每一所述柵極結構的所述暴露部分構成的側壁上形成間隔體，其中，暴露所述間隔體之間的所述犧牲絕緣層的一部分；

去除所述犧牲絕緣層，從而在所述間隔體之下形成空間；以及

在位于所述間隔體之間的所述空間內形成絕緣層，從而在位于所述間隔體之下的所述柵極結構之間形成氣穴。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述犧牲絕緣層由能夠通過O₂等離子體去除的材料形成。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，將所述犧牲絕緣層形成為使每一所述柵極結構的所述側壁的至少一部分暴露于所述犧牲絕緣層之上。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，每一所述柵極結構包括浮置柵極、介電層、控制柵極、硅化物層和硬掩模層。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述犧牲絕緣層由無定形碳、涂層上旋涂(SOC)或i-線光致抗蝕劑膜之一形成。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述絕緣層在兩個相鄰的所述柵極結構之間界定單個氣穴。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述間隔體具有與所述犧牲絕緣層不同的蝕刻選擇性。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，通過等離子體增強化學氣相淀積法，在200到400攝氏度的溫度范圍內，利用氧化物層或氮化物層形成所述間隔體。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，采用干蝕刻工藝形成所述間隔體。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述間隔體的形成過程中，所述犧牲絕緣層的一部分保留于所述柵極結構的所述側壁上。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，采用O₂等離子體去除所述犧牲絕緣層。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，在具有500到900攝氏度之間的溫度的爐內，采用氧化物層形成所述絕緣層。

13.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

提供具有多個柱體的半導體襯底，其中，每一所述柱體由導線形成；

在所述半導體襯底上形成犧牲絕緣結構，所述犧牲絕緣結構具有低于所述導線柱的高度；

在位于所述犧牲絕緣結構之上的所述導線柱的側壁上形成間隔體；

去除所述犧牲絕緣結構；以及

形成填充所述間隔體之間的空間的絕緣層，所述絕緣層在所述柱之間界定氣穴。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，所述犧牲絕緣結構包括能夠通過O₂等離子體去除的材料。

15.根據權利要求13所述的方法，其中，將所述犧牲絕緣結構形成為使所述導線柱的所述側壁的至少一部分暴露。

16.根據權利要求13所述的方法，其中，所述犧牲絕緣結構包括無定形碳、涂層上旋涂(SOC)或i-線光致抗蝕劑膜。

17.根據權利要求13所述的方法，其中，所述犧牲絕緣結構的形成包括：

在所述導線柱的所述側壁的一部分以及位于所述導線柱之間的所述半導體襯底的表面上形成犧牲絕緣層；以及

蝕刻所述犧牲絕緣層，以暴露所述導線柱的頂部拐角，從而使所述犧牲絕緣結構保留于所述導線柱之間。

18.根據權利要求13所述的方法，其中，所述間隔體具有與所述犧牲絕緣結構不同的蝕刻選擇性。

19.根據權利要求13所述的方法，其中，通過等離子體增強化學氣相淀積法，在200到400攝氏度的溫度范圍內，利用氧化物層或氮化物層形成所述間隔體。

20.根據權利要求13所述的方法，其中，采用干蝕刻工藝形成所述間隔體。