[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 200710006760.3
• 申請日: 2007-02-06
• 公開（公告）號: CN101064305A
• 公開（公告）日: 2007-10-31
• 發明（設計）人: 大竹誠治
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L23/60;H01L21/822;H01L21/76;H01L21/761
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：半導體層；劃分所述半導體層的分離區域；形成在由所述分離區域所劃分的所述半導體層上的MOS晶體管；構成所述MOS晶體管的擴散層與所述半導體層的結區域的第一結區域；以及保護元件，配置在所述MOS晶體管的形成區域的周圍，具有結擊穿電壓比所述第一結區域的結擊穿電壓低的第二結區域；所述保護元件利用包圍所述MOS晶體管的形成區域的周圍的所述分離區域來形成。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體層通過在第一導電型半導體基板上層疊一層或多層第二導電型外延層而構成，所述第二結區域由與用作所述MOS晶體管的背柵區域的擴散層配線連接的第一個第一導電型擴散層和形成在所述外延層上的第二導電型擴散層構成，所述第二導電型擴散層與連接于所述半導體基板上的第二個第一導電型擴散層重疊配置。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，具有劃分所述外延層的分離區域，所述第二個第一導電型擴散層是構成所述分離區域的擴散層。

4.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一個第一導電型擴散層和所述第二導電型擴散層與所述分離區域的形成區域配合而以一環狀配置在所述MOS晶體管的形成區域的周圍。

5.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，所述保護元件進行雙極晶體管動作。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體層通過在第一導電型半導體基板上層疊一層或多層第二導電型外延層而構成，所述第二結區域由與用作所述MOS晶體管的漏極區域的擴散層配線連接的第一個第一導電型擴散層和形成在所述外延層上的第二導電型擴散層構成，所述第二導電型擴散層與連接于所述半導體基板上的第二個第一導電型擴散層重疊配置。

7.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，具有劃分所述外延層的分離區域，所述第二個第一導電型擴散層是構成所述分離區域的擴散層。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一個第一導電型擴散層和所述第二導電型擴散層與所述分離區域的形成區域配合而以一環狀配置在所述MOS晶體管的形成區域的周圍。

9.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述保護元件進行雙極晶體管動作。

10.一種半導體裝置的制造方法，在第一導電型半導體基板上形成一層或多層第二導電型外延層，形成將所述外延層劃分成多個元件形成區域的分離區域，在所述多個元件形成區域的一區域上形成MOS晶體管，其特征在于，

在所述MOS晶體管的形成區域的周圍形成第一個第一導電型擴散層，并形成第二導電型擴散層，使所述第一個第一導電型擴散層以及構成所述分離區域的第二個第一導電型擴散層分別與所述第二導電型擴散層的一部分區域重疊，

在所述外延層上由配線層連接作為所述MOS晶體管的背柵區域的擴散層和所述第一個第一導電型擴散層。

11.如權利要求10所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，作為所述MOS晶體管的背柵區域的擴散層和所述第一個第一導電型擴散層由共同工序形成。

12.一種半導體裝置的制造方法，在第一導電型半導體基板上形成一層或多層第二導電型外延層，形成將所述外延層劃分成多個元件形成區域的分離區域，在所述多個元件形成區域的一區域上形成MOS晶體管，其特征在于，

在所述MOS晶體管的形成區域的周圍形成第一個第一導電型擴散層，并形成第二導電型擴散層，使所述第一個第一導電型擴散層以及構成所述分離區域的第二個第一導電型擴散層分別與所述第二導電型擴散層的一部分區域重疊，

在所述外延層上由配線層連接作為所述MOS晶體管的漏極區域的擴散層和所述第一個第一導電型擴散層。