[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號： | 200710006342.4 | 申請日： | 2007-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN101101923A | 公開（公告）日： | 2008-01-09 |
| 發明（設計）人： | 幡手一成 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/739 | 分類號： | H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;劉宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，其中設有：
半導體襯底；
在所述半導體襯底表面上形成的半導體區域；
設于所述半導體區域表面的、與第1電極連接的第1半導體層區域；
在所述半導體區域上從所述第1半導體層區域分離并包圍所述第1半導體層區域而配置的、其導電型與所述半導體區域不同的環狀的第2半導體層區域；
設于所述第2半導體層區域內的、其導電型與所述第2半導體層區域不同的第3半導體層區域，含有具有環狀的形狀的本體部，以及與所述本體部鄰接并與向遠離所述第1半導體層區域的方向延伸的第2電極連接的、同時以預定的間隔配置的、各自具有比所述預定的間隔小的寬度的多個凸部區域；
在所述第2半導體層區域中配置在所述第3半導體層區域的至少下方、具有比所述第2半導體層區域更高濃度的與所述第2半導體層區域同一導電型的高濃度半導體層；以及
在所述第2半導體層區域表面形成用以在所述第1半導體層區域和所述第3半導體層區域之間傳送電荷的溝道的柵極電極層。
2.權利要求1所述的半導體裝置，其中所述高濃度半導體層的深度比所述第2半導體層區域深。
3.權利要求1所述的半導體裝置，還設有在所述半導體區域和所述半導體襯底之間形成的絕緣層。
4.一種半導體裝置，其中設有：
半導體襯底；
在所述半導體襯底表面上形成的半導體區域；
設于所述半導體區域表面的、與第1電極連接的第1半導體層區域；
在所述半導體區域上從所述第1半導體層區域分離并包圍所述第1半導體層區域而配置的、其導電型與所述半導體區域不同的環狀的第2半導體層區域；
在所述第2半導體層區域內相互分離地以預定的間隔配置的、其導電型與所述第2半導體層區域不同的第3半導體層區域，含有各自具有比所述預定的間隔大的寬度的多個矩形狀的單位區域；
配置在所述第2半導體層區域的所述第3半導體層區域的至少下方、具有比所述第2半導體層區域更高濃度的與所述第2半導體層區域同一導電型的高濃度半導體層；以及
在所述第2半導體層區域表面形成用以在所述第1半導體層區域和所述第3半導體層區域之間傳送電荷的溝道的柵極電極層。
5.權利要求4所述的半導體裝置，其中所述高濃度半導體層的深度比所述第2半導體層區域深。
6.權利要求4所述的半導體裝置，還設有在所述半導體區域和所述半導體襯底之間形成的絕緣層。
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