[發明專利]半導體封裝體用外罩玻璃及其制造方法

有效

• 申請號: 200710006305.3
• 申請日: 2004-02-16
• 公開（公告）號: CN101071817A
• 公開（公告）日: 2007-11-14
• 發明（設計）人: 伊藤伸敏;淀川正弘;三和晉吉;橋本幸市;二上勉
• 申請（專利權）人: 日本電氣硝子株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L23/04;H01L31/0203;H01L33/00;H01L21/48;H01S5/022;C03B15/00;C03B18/00;C03C3/093
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 劉建

1.一種固體攝像器件封裝體用外罩玻璃，其特征是，透光面為非研磨面，其表面粗糙度Ra在1.0nm以下，并且該玻璃以質量％表示，含有SiO₂：58～75％、Al₂O₃：0.5～15％、B₂O₃：5～20％、堿金屬氧化物：1～20％、堿土類金屬氧化物：0～20％以及ZnO：0～10％的基本組成，

并且所述堿金屬氧化物中的Li₂O含量相對于固體攝像器件封裝體用外罩玻璃為0～3％，所述堿土類金屬氧化物中的BaO含量相對于固體攝像器件封裝體用外罩玻璃為0～3％。

2.根據權利要求1所述的固體攝像器件封裝體用外罩玻璃，其特征是，由下拉法或浮動法成形。

3.根據權利要求2所述的固體攝像器件封裝體用外罩玻璃，其特征是，下拉法為溢出下拉法。

4.根據權利要求1所述的固體攝像器件封裝體用外罩玻璃，其特征是，液相溫度下的玻璃粘度在10^5.2dPa·s以上。

5.根據權利要求1所述的固體攝像器件封裝體用外罩玻璃，其特征是，30～380℃的溫度范圍中的平均熱膨脹系數為30～85×10^-7/℃。

6.根據權利要求1所述的固體攝像器件封裝體用外罩玻璃，其特征是，α射線放射量在0.01c/cm²·hr以下。

7.根據權利要求1所述的固體攝像器件封裝體用外罩玻璃，其特征是，堿溶出量在1.0mg以下。

8.根據權利要求1所述的固體攝像器件封裝體用外罩玻璃，其特征是，壁厚為0.05～0.7mm。

9.根據權利要求1所述的固體攝像器件封裝體用外罩玻璃，其特征是，密度在2.55g/cm³以下。

10.一種固體攝像器件封裝體用外罩玻璃，其特征是，由下拉法或浮動法形成，透光面的表面粗糙度Ra在1.0nm以下，并且該外罩玻璃以質量％表示，含有SiO₂：58～75％、Al₂O₃：0.5～15％、B₂O₃：5～20％、堿金屬氧化物：1～20％、堿土類金屬氧化物：0～20％以及ZnO：0～10％的基本組成，30～380℃的溫度范圍中的平均熱膨脹系數為30～85×10^-7/℃，液相溫度下的玻璃粘度在10^5.2dPa·s以上，

并且所述堿金屬氧化物中的Li₂O含量相對于固體攝像器件封裝體用外罩玻璃為0～3％，所述堿土類金屬氧化物中的BaO含量相對于固體攝像器件封裝體用外罩玻璃為0～3％。

11.根據權利要求10所述的固體攝像器件封裝體用外罩玻璃，其特征是，α射線放射量在0.01c/cm²·hr以下。

12.根據權利要求10或11所述的固體攝像器件封裝體用外罩玻璃，其特征是，玻璃中的U含量在10ppb以下，Th含量在20ppb以下。

13.根據權利要求10所述的固體攝像器件封裝體用外罩玻璃，其特征是，As₂O₃的含量小于2000ppm。