[發明專利]防止磁頭體之隧道磁電阻阻抗降低的方法及磁頭制造方法

有效

• 申請號: 200710006206.5
• 申請日: 2007-01-30
• 公開（公告）號: CN101236746A
• 公開（公告）日: 2008-08-06
• 發明（設計）人: 馬洪濤;陳寶華;喬曉峰;方宏新;何巍巍
• 申請（專利權）人: 新科實業有限公司
• 主分類號: G11B5/133
• 分類號: G11B5/133;G11B5/147
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司
• 代理人: 郝傳鑫

1.?一種防止磁頭體之隧道磁電阻阻抗降低的方法，包括如下步驟：

(a)將由一組含有隧道磁電阻元件的磁頭體構成的磁條定位于托盤上；

(b)將所述托盤裝入處理室，并將處理室抽空為預定壓強；

(c)向所述處理室引入包含氧氣的處理氣體，并將該處理氣體離子化，從而形成第一蝕刻手段；

(d)將磁頭體暴露于所述第一蝕刻手段中，使隧道磁電阻元件表面形成氧化層；

(e)將所述處理室排空，再向所述處理室引入氬氣，并將該氬氣離子化，從而形成第二蝕刻手段；及

(f)將磁頭體暴露于所述第二蝕刻手段中，蝕刻所述氧化層而使其厚度降低。

2.?如權利要求1所述的防止磁頭體之隧道磁電阻阻抗降低的方法，其特征在于：所述氧化層在步驟(f)中被蝕刻后所形成的厚度為1-4nm。

3.?如權利要求2所述的防止磁頭體之隧道磁電阻阻抗降低的方法，其特征在于：所述氧化層在步驟(f)中被蝕刻所形成的厚度為1.5nm。

4.?如權利要求1所述的防止磁頭體之隧道磁電阻阻抗降低的方法，其特征在于：所述步驟(c)中的處理氣體為氧氣。

5.?如權利要求1所述的防止磁頭體之隧道磁電阻阻抗降低的方法，其特征在于：所述步驟(c)中的處理氣體為氧氣與惰性氣體的混合氣體。

6.?如權利要求1所述的防止磁頭體之隧道磁電阻阻抗降低的方法，其特征在于：所述第一、第二蝕刻手段包括等離子體或離子束。

7.?如權利要求6所述的防止磁頭體之隧道磁電阻阻抗降低的方法，其特征在于：所述等離子體通過直接電容耦合、電感耦合或電子回旋共振的方法形成。

8.?一種磁頭制造方法，包括如下步驟：

(1)將由一組含有隧道磁電阻元件的磁頭體構成的磁條定位于托盤上；

(2)將所述托盤裝入處理室，并將處理室抽空為預定壓強；

(3)向所述處理室引入包含氧氣的處理氣體，并將該處理氣體離子化，從而形成第一蝕刻手段；

(4)將磁頭體暴露于所述第一蝕刻手段中，使隧道磁電阻元件表面形成氧化層；

(5)將所述處理室排空，再向所述處理室引入氬氣，并將該氬氣離子化，從而形成第二蝕刻手段；

(6)將磁頭體暴露于所述第二蝕刻手段中，蝕刻所述氧化層而使其厚度降低；

(7)在磁頭體的隧道磁電阻元件表面形成硅層；

(8)在硅層上形成類金剛石碳層；及

(9)將磁條切割成單個磁頭。

9.?如權利要求8所述的磁頭制造方法，其特征在于：所述氧化層在步驟(6)中被蝕刻所形成的厚度為1-4nm。

10.?如權利要求8所述的磁頭制造方法，其特征在于：所述步驟(3)中的處理氣體為氧氣。

11.?如權利要求8所述的磁頭制造方法，其特征在于：所述步驟(3)中的處理氣體為氧氣與惰性氣體的混合氣體。

12.?如權利要求8所述的磁頭制造方法，其特征在于：所述第一、第二蝕刻手段包括等離子體或離子束。

13.?如權利要求12所述的磁頭制造方法，其特征在于：所述等離子體通過直接電容耦合、電感耦合或電子回旋共振的方法形成。