[發明專利]半導體裝置與動態隨機存取存儲器的制造方法

無效

• 申請號: 200710005301.3
• 申請日: 2007-02-14
• 公開（公告）號: CN101136364A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發明（設計）人: 涂國基;沈載勛;陳椿瑤
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L21/84;H01L21/768;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/02;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/12;H01L23/522;H01L29/78
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳晨

1.一種半導體裝置的制造方法，包括下列步驟：

提供基板；

于該基板內形成凹陷區與非凹陷區，該凹陷區具有位于該凹陷區的對應側的第一側與第二側；

于該基板上形成第一晶體管，該第一晶體管沿該凹陷區的第一側而設置于該基板上，該第一晶體管具有第一源極/漏極區以及第二源極/漏極區，該第一源極/漏極區位于該凹陷區內，而該第二源極/漏極區位于該非凹陷區內；

形成位線，該位線耦接于該第一源極/漏極區；以及

形成第一存儲裝置，該第一存儲裝置電連接于該第二源極/漏極區。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該凹陷區具有介于150～2000埃的深度。

3.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該第一存儲裝置為電容器。

4.如權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其中該電容器為金屬-絕緣物-金屬電容器。

5.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，還包括下列步驟：

形成第二晶體管于該基底上，該第二晶體管沿著該凹陷區的第二側而設置于該基底上，該第二晶體管與該第一晶體管分享該第一源極/漏極區，且該第二晶體管具有位于該非凹陷區內的第三源極漏極區。

6.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，還包括形成第二存儲裝置，以電連接于該第三源極/漏極區的步驟。

7.如權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其中該第二存儲裝置為電容器。

8.一種動態隨機存取存儲器的制造方法，包括下列步驟：

提供基板；于該基板上形成凹陷區與非凹陷區，該凹陷區具有位于該凹陷區對稱側的第一側壁以及第二側壁；

沿該第一側壁形成第一晶體管，該第一晶體管具有第一源極/漏極區以及第二源極/漏極區，該第一源極/漏極區位于該凹陷區內，而該第二源極/漏極區位于該非凹陷區內；

沿該第二側壁形成第二晶體管，該第二晶體管與該第一晶體管共享該第一源極/漏極區，而該第二晶體管位于該非凹陷區內的具有第三源極/漏極區；

形成位線，以耦接于該第一源極/漏極區；

形成第一電容器，以耦接該第二源極/漏極區；以及

形成第二電容器，以耦接該第三源極/漏極區。

9.如權利要求8所述的動態隨機存取存儲器的制造方法，其中該凹陷區具有介于150～2000埃的深度。

10.如權利要求8所述的動態隨機存取存儲器的制造方法，其中該第一電容器與該第二電容器為金屬-絕緣物-金屬電容器。