[發明專利]大批量生產薄膜的等離子箱

無效

• 申請號: 200710005089.0
• 申請日: 2007-02-14
• 公開（公告）號: CN101245449A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發明（設計）人: 李沅民;馬昕
• 申請（專利權）人: 北京行者多媒體科技有限公司
• 主分類號: C23C16/513
• 分類號: C23C16/513;H05H1/00;C23C16/52
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.?一個等離子箱，用于在多個近距離相臨區域形成同時低壓輝光放電，其特征在于：由以下部分組成：

a)多個接地電極，具有兩個平坦的互相平行的表面，表面積不小于0.6平方米，安裝在所述等離子箱中，并且任意兩個相鄰電極具有相同的預置距離；

b)多個激發電極，具有兩個平坦的互相平行的表面，表面積不小于0.5平方米，安裝在所述等離子箱中，并且與所述等離子箱的其它部分絕緣。所述多個接地電極和所述多個激發電極被平行交替放置，并與相鄰電極保持相等的預置距離；

c)多個連接在所述激發電極上，且為所述激發電極獨立供能的被屏蔽電纜；

d)一對外壁，由最外側的所述接地電極組成；

e)一對前后門，具有兩個平坦的互相平行的表面，和所述一對外壁垂直連接；

f)一個噴淋板，和所述多個接地電極、所述多個激發電極、所述一對外壁和所述一對后門垂直相連，其作用是將源氣體混合物引入到所述多個接地電極和多個激發電極之間的等離子體區域中；

g)一個底部支撐結構，它由多個金屬柱和其它組成部分組成，用于支撐并固定所述等離子箱的其它部分，通過它可以在某個地方或其它物體之上安裝所述等離子箱，并且讓所述等離子箱能夠被移動；

h)多個穿過所述底部支撐結構，可以將通過所述等離子體區域的廢氣混合物排除的中空部分；

i)通過電接地和電連接，將所述多個接地電極、所述一對外壁、所述一對前后門、所述噴淋板和所述底部支撐結構維持在同等接地電勢上；

j)將用于鍍膜的基板固定在所述多個接地電極、多個激發電極和一對外壁表面的手段；

k)保持用于鍍膜的基板與所述等離子箱其它部分電絕緣的手段。

2.?一個PECVD系統，其特征在于：是一個通過等離子體增強化學氣相沉積過程，同時在很多個大型平面基板上形成薄膜材料的設備，由以下部分組成：

a)一個真空室，具有良好的密封性；

b)加熱所述真空室到高溫的方法；

c)一個真空獲得和氣壓維持系統，包括真空泵、抽氣管道、隔離閥門和一個真空抽氣和保持所述真空室低壓的節流閥；

d)一個根據權利要求1所述的等離子箱，被放置在所述的真空室中；

e)多個高頻電源和多個高頻阻抗匹配器，經由被屏蔽電纜，通過所述真空室與權利要求1所述的等離子箱中的多個激發電極連接，以便為所述多個激發電極供能，并在相鄰電極之間的區域中形成等離子體輝光放電；

f)向所述等離子箱中，為PECVD過程引入具有準確流量的源氣體混和物的手段；

g)處理從所述真空室排除的廢氣的方法；

h)所有其它操作一個完整的PECVD系統所需的手段，包括測壓計、溫度傳感器、安全及環境監測裝置和計算機控制與自動化。

3.?一個薄膜沉積方法，其特征在于：該方法是在權利要求2所述的PECVD系統中實施，同時在很多個大型平面基板上形成薄膜材料，并由以下步驟組成：

a)提供多個放置在所述等離子箱中的、不小于0.5平方米的平坦基板；

b)提供預熱和加熱所述基板的方法；

c)通過抽出所述真空室的所有空氣創造一個真空環境；

d)為所述等離子箱提供一種指定的源氣體混和物；

e)提供高頻功率同時為所述多個激發電極供能，并在所述等離子體區域形成輝光放電使薄膜同時生長在多個基板上；

f)將廢氣混合物從所述真空室中排出。

4.?根據權利要求1所述的等離子箱，其特征在于：所述多個激發電極包含了為了獲得特定鍍膜效應所安置的穿透型孔穴、狹縫和其它中空部分。

5.?根據權利要求1所述的等離子箱，其特征在于：它被用于等離子體蝕刻過程。

6.?根據權利要求3所述的薄膜沉積方法，其特征在于：所沉積的薄膜是半導體薄膜，包括各種摻雜和非摻雜的氫化硅薄膜和其合金。

7.?根據權利要求3所述的薄膜沉積方法，其特征在于：所述的基板由平坦的玻璃板和其上沉積的透明導電氧化物組成。

8.?根據權利要求3所述的薄膜沉積方法，其特征在于：等離子體的激發方式包括中頻、射頻和極高頻。

9.?根據權利要求1所述的等離子箱，其特征在于：所述多個激發電極的數量不少于8個。

10.?根據權利要求1所述的等離子箱，其特征在于：所述多個接地電極和所述多個激發電極的面積大于2平方米。