[發明專利]薄膜光伏器件中增強光捕獲效應的方法無效
| 申請號: | 200710004975.1 | 申請日: | 2007-02-14 |
| 公開(公告)號: | CN101246922A | 公開(公告)日: | 2008-08-20 |
| 發明(設計)人: | 李沅民;馬昕 | 申請(專利權)人: | 北京行者多媒體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/075 | 分類號: | H01L31/075;H01L31/042;H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/0236 |
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| 地址: | 100086北京市海淀區中關村南大街*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 器件 增強 捕獲 效應 方法 | ||
1.?一個p-i-n型光伏器件,它的構成包括:一個透明導電前接觸層,一個硼摻雜的基于薄膜硅的p層、一個本征的基于薄膜硅的i層,一個磷摻雜的基于薄膜硅的n層和一個具有光反射性能的背電極,它可以包括第二透明導電氧化物和一個或多個金屬薄膜。其特征在于:所述n層是將一個較厚的n型薄膜用蝕刻的方法獲得,且其表面具有明顯的非平坦結構,使得該n層與反光背電極的界面導致未被吸收的長波光以較大的散射角度被反射回i層之中。從而改善對弱吸收光的捕獲,提高硅薄膜太陽能光伏器件的轉換效率。
2.?根據權利要求1所述的p-i-n型光伏器件,其特征在于:在所述p層之前,安置有一個或更多個p-i-n型光伏單元,從而形成多結光伏器件。
3.?根據權利要求1所述的p-i-n型光伏器件,其特征在于:所述高度反光的背電極包含氧化鋅薄膜和銀薄膜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





