[發明專利]具有環狀支撐物的凸塊結構及其制造方法

無效

• 申請號: 200710004497.4
• 申請日: 2007-01-16
• 公開（公告）號: CN101226908A
• 公開（公告）日: 2008-07-23
• 發明（設計）人: 楊景洪
• 申請（專利權）人: 百慕達南茂科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/498;H01L21/60;H01L21/48;H05K1/02;H05K3/00;H05K3/06
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陳亮

1.一種具有環狀支撐物的凸塊結構，適于配置于一基板上，該基板具有至少一接墊與一保護層，其中該保護層具有至少一開口，且該開口暴露出該接墊的一部分，該具有環狀支撐物的凸塊結構包括：

一球底金屬層，配置于該保護層上，并覆蓋該保護層所暴露出的該接墊；

一凸塊，配置于該接墊上方的該球底金屬層上，且該凸塊的底面的直徑小于該凸塊的頂面的直徑；以及

一環狀支撐物，配置于該凸塊的周圍，并與該凸塊接觸，且該環狀支撐物的材質為光阻材料。

2.如權利要求1所述的具有環狀支撐物的凸塊結構，其特征在于，該凸塊包括一頭部與一頸部，該頸部連接該頭部與該球底金屬層，且該頭部的直徑大于該頸部的直徑。

3.如權利要求1所述的具有環狀支撐物的凸塊結構，其特征在于，該凸塊的直徑自底面往頂面逐漸增加。

4.如權利要求1所述的具有環狀支撐物的凸塊結構，其特征在于，該環狀支撐物的直徑小于等于該凸塊的頂面的直徑。

5.如權利要求4所述的具有環狀支撐物的凸塊結構，其特征在于，該環狀支撐物的直徑自該凸塊的頂面往底面逐漸減小。

6.如權利要求1所述的具有環狀支撐物的凸塊結構，其特征在于，該凸塊包括金凸塊。

7.一種具有環狀支撐物的凸塊結構的制造方法，包括：

提供一基板，該基板具有多個接墊與一保護層，其中該保護層具有多個第一開口，且各該第一開口暴露出該接墊的一部分；

在該保護層上形成一球底金屬材料層，以覆蓋該保護層與該保護層所暴露出的該些接墊；

在該球底金屬材料層形成一圖案化光阻層，其中該圖案化光阻層具有多個第二開口，分別暴露出該些接墊上方的該球底金屬材料層，且位于該圖案化光阻層的底面的各該開口的直徑小于位于該圖案化光阻層的頂面的各該開口的直徑；

在該些第二開口內形成多個凸塊；

移除部分該圖案化光阻層，以在各該凸塊的周圍形成一環狀支撐物；以及

以該些環狀支撐物與該些凸塊為掩膜，圖案化該球底金屬材料層，以形成多個球底金屬層。

8.如權利要求7所述的具有環狀支撐物的凸塊結構的制造方法，其特征在于，形成該圖案化光阻層的方法包括使用一光掩膜，以使得各該開口的直徑自該圖案化光阻層的底面往頂面逐漸增加。

9.如權利要求8所述的具有環狀支撐物的凸塊結構的制造方法，其特征在于，該光掩膜包括一半調式光掩膜。

10.如權利要求7所述的具有環狀支撐物的凸塊結構的制造方法，其特征在于，形成該圖案化光阻層的方法包括使用一半調式光掩膜，以使各該第二開口具有一頭部與一頸部，該頸部連接該頭部與該球底金屬材料層，其中該頭部的直徑大于該頸部的直徑。

11.如權利要求7所述的具有環狀支撐物的凸塊結構的制造方法，其特征在于，移除部分該圖案化光阻層的方法包括以該些凸塊為掩膜進行一干蝕刻制程。

12.如權利要求11所述的具有環狀支撐物的凸塊結構的制造方法，其特征在于，該干蝕刻制程包括等離子蝕刻制程。

13.如權利要求7所述的具有環狀支撐物的凸塊結構的制造方法，其特征在于，移除部分該圖案化光阻層的方法包括：

以該些凸塊為掩膜，對于該圖案化光阻層進行一曝光制程；以及

對于曝光后的該圖案化光阻層，進行一顯影制程，以移除部分該圖案化光阻層。