[發(fā)明專利]具有環(huán)狀支撐物的凸塊結(jié)構(gòu)及其制造方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710004497.4 | 申請(qǐng)日： | 2007-01-16 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101226908A | 公開（公告）日： | 2008-07-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊景洪 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 百慕達(dá)南茂科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/485 | 分類號(hào)： | H01L23/485;H01L23/498;H01L21/60;H01L21/48;H05K1/02;H05K3/00;H05K3/06 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人： | 陳亮 |
| 地址： | 百慕大*** | 國省代碼： | 百慕大群島;BM |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 環(huán)狀 支撐 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
1.一種具有環(huán)狀支撐物的凸塊結(jié)構(gòu)，適于配置于一基板上，該基板具有至少一接墊與一保護(hù)層，其中該保護(hù)層具有至少一開口，且該開口暴露出該接墊的一部分，該具有環(huán)狀支撐物的凸塊結(jié)構(gòu)包括：
一球底金屬層，配置于該保護(hù)層上，并覆蓋該保護(hù)層所暴露出的該接墊；
一凸塊，配置于該接墊上方的該球底金屬層上，且該凸塊的底面的直徑小于該凸塊的頂面的直徑；以及
一環(huán)狀支撐物，配置于該凸塊的周圍，并與該凸塊接觸，且該環(huán)狀支撐物的材質(zhì)為光阻材料。
2.如權(quán)利要求1所述的具有環(huán)狀支撐物的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該凸塊包括一頭部與一頸部，該頸部連接該頭部與該球底金屬層，且該頭部的直徑大于該頸部的直徑。
3.如權(quán)利要求1所述的具有環(huán)狀支撐物的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該凸塊的直徑自底面往頂面逐漸增加。
4.如權(quán)利要求1所述的具有環(huán)狀支撐物的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該環(huán)狀支撐物的直徑小于等于該凸塊的頂面的直徑。
5.如權(quán)利要求4所述的具有環(huán)狀支撐物的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該環(huán)狀支撐物的直徑自該凸塊的頂面往底面逐漸減小。
6.如權(quán)利要求1所述的具有環(huán)狀支撐物的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該凸塊包括金凸塊。
7.一種具有環(huán)狀支撐物的凸塊結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：
提供一基板，該基板具有多個(gè)接墊與一保護(hù)層，其中該保護(hù)層具有多個(gè)第一開口，且各該第一開口暴露出該接墊的一部分；
在該保護(hù)層上形成一球底金屬材料層，以覆蓋該保護(hù)層與該保護(hù)層所暴露出的該些接墊；
在該球底金屬材料層形成一圖案化光阻層，其中該圖案化光阻層具有多個(gè)第二開口，分別暴露出該些接墊上方的該球底金屬材料層，且位于該圖案化光阻層的底面的各該開口的直徑小于位于該圖案化光阻層的頂面的各該開口的直徑；
在該些第二開口內(nèi)形成多個(gè)凸塊；
移除部分該圖案化光阻層，以在各該凸塊的周圍形成一環(huán)狀支撐物；以及
以該些環(huán)狀支撐物與該些凸塊為掩膜，圖案化該球底金屬材料層，以形成多個(gè)球底金屬層。
8.如權(quán)利要求7所述的具有環(huán)狀支撐物的凸塊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成該圖案化光阻層的方法包括使用一光掩膜，以使得各該開口的直徑自該圖案化光阻層的底面往頂面逐漸增加。
9.如權(quán)利要求8所述的具有環(huán)狀支撐物的凸塊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該光掩膜包括一半調(diào)式光掩膜。
10.如權(quán)利要求7所述的具有環(huán)狀支撐物的凸塊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成該圖案化光阻層的方法包括使用一半調(diào)式光掩膜，以使各該第二開口具有一頭部與一頸部，該頸部連接該頭部與該球底金屬材料層，其中該頭部的直徑大于該頸部的直徑。
11.如權(quán)利要求7所述的具有環(huán)狀支撐物的凸塊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，移除部分該圖案化光阻層的方法包括以該些凸塊為掩膜進(jìn)行一干蝕刻制程。
12.如權(quán)利要求11所述的具有環(huán)狀支撐物的凸塊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該干蝕刻制程包括等離子蝕刻制程。
13.如權(quán)利要求7所述的具有環(huán)狀支撐物的凸塊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，移除部分該圖案化光阻層的方法包括：
以該些凸塊為掩膜，對(duì)于該圖案化光阻層進(jìn)行一曝光制程；以及
對(duì)于曝光后的該圖案化光阻層，進(jìn)行一顯影制程，以移除部分該圖案化光阻層。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于百慕達(dá)南茂科技股份有限公司，未經(jīng)百慕達(dá)南茂科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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