[發明專利]高功率發光二極管芯片封裝結構與制造方法

無效

• 申請號: 200710004273.3
• 申請日: 2007-01-19
• 公開（公告）號: CN101226975A
• 公開（公告）日: 2008-07-23
• 發明（設計）人: 林誠;粟華新;根井正美
• 申請（專利權）人: 研晶光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L25/00;H01L25/075;H01L23/34;H01L21/50
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司
• 代理人: 許靜

1.一種發光二極管芯片的封裝結構，其特征在于，至少包含：

至少一發光二極管芯片；

一底座，由一散熱座、多個電極、與一絕緣物所一體成型構成，所述散熱座與所述多個電極由一金屬材料所構成，所述絕緣物設置于所述散熱座與所述多個電極之間，致使所述散熱座與所述多個電極黏合為一體，并使所述散熱座與任一所述電極、以及任二所述電極之間是電氣絕緣的，所述發光二極管芯片黏固于所述散熱座的上表面；

一反射板，通過一適當的結合劑與所述底座的上表面黏合，其內部適當位置處具有一適當口徑且上下貫通的一穿孔，以暴露出所述散熱座的上表面以用于固晶、以及所述多個電極的上表面的至少部分面積，所述穿孔內壁具有高反射率；

多條導線，連接所述發光二極管芯片的電極與所述多個電極；以及

一填充物，由一透光性材料構成，位于所述反射板的穿孔內以封固所述發光二極管芯片與所述多個導線。

2.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述底座的散熱座位于所述底座內部，與所述底座的周緣保持一適當距離，并由所述底座的上表面、以及所述底座的下表面與側面二者至少其中之一分別透出。

3.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述底座的多個電極位于所述散熱座四周適當位置、并由所述底座的上表面、以及所述底座的下表面與側面二者至少其中之一分別透出。

4.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述反射板以一高反射率的金屬材料構成。

5.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述反射板以一絕緣材料構成，且所述穿孔壁面具有一高反射率的白涂裝。

6.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述反射板以一絕緣材料構成，且所述穿孔壁面涂布有一高反射率的薄膜。

7.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述散熱座的上表面與所述發光二極管芯片之間具有一反射鏡面。

8.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述發光二極管芯片包覆于一適當熒光體內。

9.一種發光二極管芯片的封裝結構制造方法，其特征在于，用于同時產生多個發光二極管芯片的封裝結構，至少包含下列步驟：

(1)在一金屬板上，形成所述多個封裝結構的多個單元底座，每一單元底座包含一散熱座與多個電極，所述多個電極與所述散熱座保持一適當距離，在每一單元底座的散熱座與所述多個電極之間，由一絕緣物填充，致使每一單元底座的該散熱座與所述多個電極之間，以及所述多個電極之間是絕緣黏合的；

(2)將一預先準備好的、包含有所述多個封裝結構單元的多個反射板的板體，以適當的結合劑與所述步驟(1)完成的成品黏合，每一反射板內部適當位置處具有一適當口徑且上下貫通、內壁具有高反射率的一穿孔，致使黏合之后，所述穿孔暴露出一對應單元的散熱座的上表面與所述多個電極的上表面的至少部分面積；

(3)在每一單元的所述散熱座的上表面，進行至少一發光二極管芯片的固晶，并由多條導線將所述發光二極管芯片的電極分別連接到所述單元的多個電極的上表面；

(4)在每一反射板的所述穿孔內通過一透光性填充物包覆所述穿孔所暴露出來的發光二極管芯片、多條導線；以及

(5)將所述多個封裝結構單元切割分離。

10.如權利要求9所述的封裝結構制作方法，其特征在于，所述多個單元底座的散熱座形成于所述單元底座內部，與所述單元底座的周緣保持一適當距離，并由所述單元底座的上表面、以及所述單元底座的下表面與側面二者至少其中之一分別透出。

11.如權利要求9所述的封裝結構制作方法，其特征在于，所述多個單元底座的多個電極形成于所述單元底座的散熱座四周適當位置、并由所述單元底座的上表面、以及所述單元底座的下表面與側面二者至少其中之一分別透出。

12.如權利要求9所述的封裝結構制作方法，其特征在于，所述步驟(1)通過蝕刻與金屬加工方法，對所述金屬板兩個主要表面同時進行，然后再進行絕緣物充填黏合，以形成所述多個單元底座。