[發明專利]光刻工藝監測標記用光掩模圖案及其應用

無效

• 申請號: 200710003752.3
• 申請日: 2007-01-24
• 公開（公告）號: CN101231459A
• 公開（公告）日: 2008-07-30
• 發明（設計）人: 林柏青;馬傳泰
• 申請（專利權）人: 力晶半導體股份有限公司
• 主分類號: G03F1/14
• 分類號: G03F1/14;G03F1/00;G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種光刻工藝監測標記用光掩模圖案，包括：

不透光或半透光層，其中形成有至少一列沿短軸方向排列的多個扁菱形開口，以及位于該至少一列扁菱形開口旁的孔；以及

位于該孔中的至少一列沿短軸方向排列的多個扁菱形圖形，其材料與該不透光或半透光層相同。

2.權利要求1所述的光刻工藝監測標記用光掩模圖案，其中該光刻工藝為i-line(365nm)光刻工藝。

3.權利要求2所述的光刻工藝監測標記用光掩模圖案，其中這些扁菱形開口的短軸長度及間隔與這些扁菱形圖形相同，但長軸長度大于這些扁菱形圖形。

4.權利要求3所述的光刻工藝監測標記用光掩模圖案，其中每一扁菱形開口及每一扁菱形圖形的短軸長度為0.5μm左右，兩相鄰扁菱形開口及兩相鄰扁菱形圖形的間距為1.0μm左右，每一扁菱形開口的長軸長度為8.0μm左右，且每一扁菱形圖形的長軸長度為4.0μm左右。

5.權利要求1所述的光刻工藝監測標記用光掩模圖案，其中這些扁菱形開口的短軸長度及間隔與這些扁菱形圖形相同，但長軸長度大于這些扁菱形圖形。

6.權利要求1所述的光刻工藝監測標記用光掩模圖案，其中

這些扁菱形開口共有4列，其定義出第一矩形，并圍繞該孔；并且

該孔中的這些扁菱形圖形共有4列，其定義出第二矩形。

7.權利要求6所述的光刻工藝監測標記用光掩模圖案，其中該第一矩形、該孔及該第二矩形三者的中心重合。

8.權利要求6所述的光刻工藝監測標記用光掩模圖案，其中該孔的形狀、該第一矩形及該第二矩形及皆為正方形。

9.一種光刻工藝的監測方法，包括：

在該光刻工藝所使用的光掩模上形成監測標記用光掩模圖案，其包括不透光或半透光層，其中有孔及至少一列沿短軸方向排列的多個扁菱形開口，并包括位于該孔中的至少一列沿短軸方向排列的多個扁菱形圖形，其材料與該不透光或半透光層相同；以及

在該光掩模上的圖案轉移至基底上的光致抗蝕劑層之后，檢查該光致抗蝕劑層中形成的監測標記中對應該至少一列扁菱形開口的至少一溝槽的邊緣及對應該至少一列扁菱形圖形的至少一條狀光致抗蝕劑圖形的邊緣是否皆呈鋸齒狀，如是則表示該光刻工藝的曝光量與聚焦位置符合要求，如否則表示該光刻工藝的曝光量與聚焦位置不符合要求。

10.權利要求9所述的光刻工藝的監測方法，其中該光刻工藝為i-line(365nm)光刻工藝。

11.權利要求10所述的光刻工藝的監測方法，其中這些扁菱形開口的短軸長度及間隔與這些扁菱形圖形相同，但長軸長度大于這些扁菱形圖形。

12.權利要求11所述的光刻工藝的監測方法，其中每一扁菱形開口及每一扁菱形圖形的短軸長度為0.5μm左右，兩相鄰扁菱形開口及兩相鄰扁菱形圖形之間距為1.0μm左右，每一扁菱形開口的長軸長度為8.0μm左右，且每一扁菱形圖形的長軸長度為4.0μm左右。

13.權利要求9所述的光刻工藝的監測方法，其中這些扁菱形開口的短軸長度及間隔與這些扁菱形圖形相同，但長軸長度大于這些扁菱形圖形。

14.權利要求9所述的光刻工藝的監測方法，其中

這些扁菱形開口共有4列，其定義出第一矩形，并圍繞該孔；并且

該孔中的這些扁菱形圖形共有4列，其定義出第二矩形。

15.權利要求14所述的光刻工藝的監測方法，其中該第一矩形、該孔及該第二矩形三者的中心重合。

16.權利要求14所述的光刻工藝的監測方法，其中該孔的形狀、該第一矩形及該第二矩形及皆為正方形。