[發明專利]一種線路組件

有效

• 申請號: 200710003676.6
• 申請日: 2007-01-23
• 公開（公告）號: CN101231994A
• 公開（公告）日: 2008-07-30
• 發明（設計）人: 林茂雄;周健康;李進源
• 申請（專利權）人: 米輯電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L27/02
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 孫皓晨

1.一種線路組件，其特征在于：其包括：

一第一模擬電路；

一第二模擬電路；

一第一金屬線路，連接所述的第一模擬電路；

一第二金屬線路，連接所述的第二模擬電路；

一保護層，位于所述的第一模擬電路、所述的第二模擬電路、所述的第一金屬線路與所述的第二金屬線路上；以及

一第三金屬線路，位于所述的保護層上，且連接所述的第一金屬線路與所述的第二金屬線路。

2.根據權利要求1所述的線路組件，其特征在于：所述的第一模擬電路為一或非門、一或門、一且閘、與非門、一感測放大器、一運算放大器、一模擬/數字轉換器、數字/模擬轉換器、一脈波再成形電路、一切換式電容濾波器、一電阻電容濾波器、一P型金氧半晶體管與一N型金氧半晶體管其中之一或及其組合。

3.根據權利要求1所述的線路組件，其特征在于：所述的第一金屬線路與所述的第二金屬線路分別為厚度是介于0.05微米至2微米之間的一鋁層或一銅層。

4.根據權利要求1所述的線路組件，其特征在于：所述的第三金屬線路的材質為金、銅、銀、鉑、鈀或鎳其中之一或及其組成。

5.根據權利要求1所述的線路組件，其特征在于：所述的保護層的材質為一氮硅化合物與一氧硅化合物其中之一或及其組合。

6.根據權利要求1所述的線路組件結構，其特征在于：還包括厚度介于2微米至100微米之間的一第一聚合物層位于所述的保護層與所述的第三金屬線路之間。

7.根據權利要求1所述的線路組件，其特征在于：所述的第三金屬線路未與外界電連接。

8.根據權利要求1所述的線路組件，其特征在于：還包括一第二聚合物層位于所述的第三金屬線路上。

9.根據權利要求1所述的線路組件，其特征在于：還包括一含硅的基底承載所述的第一模擬電路與所述的第二模擬電路。

10.根據權利要求1所述的線路組件，其特征在于：所述的第二金屬線路是連接所述的第二模擬電路的一輸出節點或一輸入節點。

11.一種線路組件，其特征在于：其包括：

一模擬電路，其是包括至少一輸出節點；

一模擬/數字轉換器，其是包括至少一輸入節點；

一第一金屬線路，連接所述的模擬電路的所述的輸出節點；

一第二金屬線路，連接所述的模擬/數字轉換器的所述的輸入節點；

一保護層，位于所述的模擬電路、所述的模擬/數字轉換器、所述的第一金屬線路與所述的第二金屬線路上；以及

一第三金屬線路，位于所述的保護層上，且連接所述的第一金屬線路與所述的第二金屬線路。

12.根據權利要求11所述的線路組件，其特征在于：所述的模擬電路為一或非門、一或門、一且閘、與非門、一感測放大器、一運算放大器、一模擬/數字轉換器、數字/模擬轉換器、一脈波再成形電路、一切換式電容濾波器、一電阻電容濾波器、一P型金氧半晶體管與一N型金氧半晶體管其中之一或及其組合。

13.根據權利要求11所述的線路組件，其特征在于：所述的第一金屬線路與所述的第二金屬線路分別為厚度是介于0.05微米至2微米之間的一鋁層或一銅層。

14.根據權利要求11所述的線路組件，其特征在于：所述的第三金屬線路的材質為金、銅、銀、鉑、鈀或鎳其中之一或及其組成。

15.根據權利要求11所述的線路組件，其特征在于：所述的保護層的材質為一氮硅化合物與一氧硅化合物其中之一或及其組合。

16.根據權利要求11所述的線路組件結構，其特征在于：還包括厚度介于2微米至100微米之間的一第一聚合物層位于所述的保護層與所述的第三金屬線路之間。

17.根據權利要求11所述的線路組件，其特征在于：所述的第三金屬線路未與外界電連接。

18.根據權利要求11所述的線路組件，其特征在于：還包括一第二聚合物層位于所述的第三金屬線路上。

19.根據權利要求11所述的線路組件，其特征在于：還包括一含硅的基底承載所述的模擬電路與所述的模擬/數字轉換器。