[發(fā)明專利]微鉆針表面電鍍方法及其結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710003665.8
• 申請日: 2007-01-23
• 公開（公告）號: CN101230459A
• 公開（公告）日: 2008-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃續(xù)鐔;周鐘霖
• 申請（專利權(quán)）人: 環(huán)宇真空科技股份有限公司
• 主分類號: C23C28/02
• 分類號: C23C28/02
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 王燕秋

1.一種微鉆針表面電鍍方法，其特征在于包含下列各步驟：

a)提供一微鉆針以及一真空腔，將所述微鉆針置于所述真空腔內(nèi)；

b)以電弧沉積方式對所述微鉆針表面進(jìn)行沉積，以形成一第一鍍膜層；

c)以濺射沉積方式對所述第一鍍膜層表面進(jìn)行沉積，以形成一第二鍍膜層。

2.如權(quán)利要求1所述的微鉆針表面電鍍方法，其特征在于：步驟a)中的所述微鉆針，預(yù)先用超聲波去除表面油污并烘干水分后，再置于所述真空腔內(nèi)。

3.如權(quán)利要求1所述的微鉆針表面電鍍方法，其特征在于：步驟a)中的所述真空腔，具有一真空管路，以供將所述真空腔抽成真空狀態(tài)。

4.如權(quán)利要求3所述的微鉆針表面電鍍方法，其特征在于：步驟a)中的所述真空腔，抽真空至8×10^-3Pa。

5.如權(quán)利要求1所述的微鉆針表面電鍍方法，其特征在于：步驟b)所述的電弧沉積方式，為旋轉(zhuǎn)式電弧沉積。

6.如權(quán)利要求1所述的微鉆針表面電鍍方法，其特征在于：步驟b)的所述第一鍍膜層，其厚度在3μm以下。

7.如權(quán)利要求1所述的微鉆針表面電鍍方法，其特征在于：步驟c)所述的濺射沉積方式，為非平衡磁控濺射沉積。

8.如權(quán)利要求7所述的微鉆針表面電鍍方法，其特征在于：步驟c)的所述第二鍍膜層，為以非導(dǎo)電性靶材進(jìn)行濺射沉積。

9.如權(quán)利要求8所述的微鉆針表面電鍍方法，其特征在于：步驟c)所述的非導(dǎo)電性靶材，選自二硼化鈦、三氧化二鋁以及氮化硼其中一種。

10.如權(quán)利要求1所述的微鉆針表面電鍍方法，其特征在于：步驟c)的所述第二鍍膜層，其厚度在3μm以下。

11.一種以權(quán)利要求1所述電鍍方法制得的薄膜，其特征在于包含有：

一微鉆針；

一第一鍍膜層，以電弧沉積方式形成于所述微鉆針表面；

一第二鍍膜層，以濺射沉積方式形成于第一鍍膜層表面。

12.如權(quán)利要求11所述的微鉆針表面電鍍方法，其特征在于：所述第一鍍膜層的厚度在3μm以下。

13.如權(quán)利要求11所述的微鉆針表面電鍍方法，其特征在于：所述第二鍍膜層的厚度在3μm以下。

14.如權(quán)利要求11所述的微鉆針表面電鍍方法，其特征在于：所述第二鍍膜層為具有碳基、硼基、氮基或鈦基的合金。