[發明專利]絕緣體上有硅的結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200710003532.0
• 申請日: 2007-02-06
• 公開（公告）號: CN101075573A
• 公開（公告）日: 2007-11-21
• 發明（設計）人: 李明修
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/84;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 壽寧;張華輝

1、一種絕緣體上有硅的結構的制造方法，其特征在于其包含：

提供單晶硅基底，所述單晶硅基底的一部分上形成有元件圖案，所述元件圖案包含突出部分，且所述突出部分的寬度小于400nm；

在所述突出部分的一部分上形成保護層；以及

使用熱氧化處理，以在所述突出部分與所述單晶硅基底之間形成氧化物絕緣層。

2、根據權利要求1所述的絕緣體上有硅的結構的制造方法，其特征在于其中所述的突出部分具有側壁，且形成所述保護層包含在所述側壁的至少一部分上形成隔離物保護層。

3、根據權利要求2所述的絕緣體上有硅的結構的制造方法，其特征在于其中所述的形成所述隔離物保護層是經由包含氮化硅沉積和氮化硅隔離物蝕刻的處理來執行。

4、根據權利要求3所述的絕緣體上有硅的結構的制造方法，其特征在于其進一步包含在氮化硅沉積之前沉積襯墊氧化物層。

5、根據權利要求1所述的絕緣體上有硅的結構的制造方法，其特征在于其中所述的形成所述保護層包含在所述突出部分上形成氮化硅蓋。

6、根據權利要求5所述的絕緣體上有硅的結構的制造方法，其特征在于其中所述的藉由包含沉積厚氧化物層、回蝕刻、氮化硅沉積和氧化物蝕刻來移除所述厚氧化物層的處理形成所述氮化硅蓋。

7、根據權利要求6所述的絕緣體上有硅的結構的制造方法，其特征在于其進一步包含在氮化硅沉積之前沉積襯墊氧化物層。

8、根據權利要求2所述的絕緣體上有硅的結構的制造方法，其特征在于其中所述的形成所述保護層包含使用所述熱氧化處理來形成蓋氧化物層。

9、根據權利要求8所述的絕緣體上有硅的結構的制造方法，其特征在于其進一步包含移除所述蓋氧化物層的至少一部分。

10、根據權利要求1所述的絕緣體上有硅的結構的制造方法，其特征在于其進一步包含移除所述保護層的至少一部分。

11、根據權利要求10所述的絕緣體上有硅的結構的制造方法，其特征在于其中所述的移除所述保護層的至少一部分包含回蝕刻處理和化學機械處理中的一者。

12、一種由權利要求1所述的絕緣體上有硅的結構的制造方法獲得的絕緣體上有硅的結構，其中所述絕緣體上有硅的結構具有單晶硅基底，且所述單晶硅基底的表面上安置有元件圖案，所述元件圖案包含非絕緣體上有硅區域和具有突出部分的絕緣體上有硅區域，且所述突出部分從所述單晶硅基底向外延伸。

13、一種部分絕緣體上有硅的結構的制造方法，其特征在于其包含：

提供單晶硅基底，所述單晶硅基底形成有元件圖案其中所述元件圖案包含非絕緣體上有硅區域和具有突出部分的絕緣體上有硅區域，且所述突出部分的寬度小于400nm；

在所述突出部分的一部分上形成保護層；以及

使用熱氧化處理在所述突出部分與所述單晶硅基底之間形成氧化物絕緣層。

14、根據權利要求13所述的部分絕緣體上有硅的結構的制造方法，其特征在于其中所述的非絕緣體上有硅區域包含非蝕刻的非絕緣體上有硅元件。

15、根據權利要求13所述的部分絕緣體上有硅的結構的制造方法，其特征在于其中所述的元件圖案進一步包含具有非絕緣體上有硅突出部分的保留非絕緣體上有硅區域，且其中所述形成部分絕緣體上有硅結構的方法進一步包含在所述非絕緣體上有硅突出部分上形成保留保護層。

16、根據權利要求13所述的部分絕緣體上有硅的結構的制造方法，其特征在于其中所述的突出部分具有側壁，且形成所述保護層包含在所述側壁的至少一部分上形成隔離物保護層。

17、根據權利要求16所述的部分絕緣體上有硅的結構的制造方法，其特征在于其中所述的形成所述隔離物保護層是經由從由襯墊氧化物沉積、氮化硅沉積和氮化硅隔離物蝕刻組成的群組中選擇的處理來執行。

18、根據權利要求13所述的部分絕緣體上有硅的結構的制造方法，其特征在于其中所述的形成所述保護層包含在所述突出部分上形成氮化硅蓋。