[發明專利]制作低驅動電壓微抓舉式致動器的方法及其結構

無效

• 申請號: 200710003171.X
• 申請日: 2007-02-25
• 公開（公告）號: CN101252329A
• 公開（公告）日: 2008-08-27
• 發明（設計）人: 洪銀樹;黃義佑;李彥其;林君穎
• 申請（專利權）人: 建凖電機工業股份有限公司
• 主分類號: H02N1/06
• 分類號: H02N1/06;H02N1/08
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 王燕秋

1.?一種制作低驅動電壓微抓舉式致動器的方法，其特征在于包含以下步驟：

步驟一：在一超低阻值硅基板上沉積一絕緣層，并在第一道微影制程后蝕刻所述絕緣層，裸露出超低阻值硅基板的下電極預定位置；

步驟二：在所述絕緣層上沉積第一層低應力犧牲層，并在第二道微影制程蝕刻定義出錨、微型突點預定位置以及軸襯圖案；

步驟三：在所述第一層低應力犧牲層上沉積第二層低應力犧牲層，以修正軸襯最小線寬達1.5μm以下；

步驟四：在第三道微影制程蝕刻定義出錨和下電極預定位置的圖案；

步驟五：在所述第二層低應力犧牲層上沉積主結構層，并置入水平爐管進行磷擴散及高溫退火制程；

步驟六：在第四道微影制程蝕刻定義出主結構層的圖案；

步驟七：在第五道微影制程蝕刻定義出上電極與下電極圖案；

步驟八：以濕式蝕刻第一、二低應力犧牲層以釋放主結構層。

2.?如權利要求1所述制作低驅動電壓微抓舉式致動器的方法，其特征在于：所述超低阻值硅基板的阻值為0.001～0.004Ω-cm。

3.?如權利要求1所述制作低驅動電壓微抓舉式致動器的方法，其特征在于：所述絕緣層為低應力氮化硅薄膜。

4.?如權利要求1所述制作低驅動電壓微抓舉式致動器的方法，其特征在于：所述第一、二層低應力犧牲層為磷硅玻璃薄膜。

5.?如權利要求1所述制作低驅動電壓微抓舉式致動器的方法，其特征在于：所述主結構層為低應力多晶硅薄膜。

6.?如權利要求1所述制作低驅動電壓微抓舉式致動器的方法，其特征在于：所述上、下電極是以電子束蒸鍍機蒸鍍鉻/金。

7.?如權利要求1所述制作低驅動電壓微抓舉式致動器的方法，其特征在于：該方法可運用于微型風扇馬達的結構組裝。

8.?如權利要求1所述制作低驅動電壓微抓舉式致動器的方法，其特征在于：該方法可運用于微散熱模塊的結構組裝。

9.?如權利要求1所述制作低驅動電壓微抓舉式致動器的方法，其特征在于：該方法可運用于微出力元件的結構組裝。

10.?如權利要求1所述制作低驅動電壓微抓舉式致動器的方法，其特征在于：該方法可運用于微流道系統。

11.?如權利要求1所述制作低驅動電壓微抓舉式致動器的方法，其特征在于：該方法可運用于微光通訊開關。

12.?一種低驅動電壓微抓舉式致動器的結構，其特征在于包含：

一超低阻值硅基板；

一絕緣層，沉積于超低阻值硅基板之上；

至少一主結構層，沉積于絕緣層之上；

主結構層下方制作有一個以上的微型突點，以防止黏滯效應。

13.?如權利要求12所述低驅動電壓微抓舉式致動器的結構，其特征在于：所述超低阻值硅基板的阻值為0.001～0.004Ω-cm。

14.?如權利要求12所述低驅動電壓微抓舉式致動器的結構，其特征在于：所述絕緣層為低應力氮化硅薄膜。

15.?如權利要求12所述低驅動電壓微抓舉式致動器的結構，其特征在于：所述主結構層為低應力多晶硅薄膜。

16.?如權利要求12所述低驅動電壓微抓舉式致動器的結構，其特征在于：該結構可運用于微型風扇馬達的結構組裝。

17.?如權利要求12所述低驅動電壓微抓舉式致動器的結構，其特征在于：該結構可運用于微散熱模塊的結構組裝。

18.?如權利要求12所述低驅動電壓微抓舉式致動器的結構，其特征在于：該結構可運用于微出力元件的結構組裝。

19.?如權利要求12所述低驅動電壓微抓舉式致動器的結構，其特征在于：該結構可運用于微流道系統。

20.?如權利要求12所述低驅動電壓微抓舉式致動器的結構，其特征在于：所述結構可運用于微光通訊開關。