[發(fā)明專利]非晶硅薄膜的處理方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710002574.2
• 申請(qǐng)日: 2007-01-29
• 公開（公告）號(hào): CN101235490A
• 公開（公告）日: 2008-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李沅民;馬昕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京行者多媒體科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/513
• 分類號(hào): C23C16/513;C23C16/24;C23C16/52;H01L31/0216
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.?一個(gè)非摻雜的基于氫化硅的薄膜，該薄膜由如下兩步驟獲得：

a)在一個(gè)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)中，使用含有氫氣和硅烷的混合氣體，在溫度不超過230℃的條件下形成一個(gè)初始薄膜，其氫的含量不低于6原子百分比；

b)將所述的初始薄膜置入一個(gè)密封的箱體，在箱體中含有包括氫氣的壓力不低于50個(gè)大氣壓的氣體，維持在一個(gè)低于初始薄膜形成時(shí)的溫度下，持續(xù)1-3小時(shí)。

其特征在于：經(jīng)高壓處理后的薄膜具有比初始薄膜明顯改善的光照穩(wěn)定性。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的非摻雜的基于氫化硅的薄膜，它被作為i層置入一個(gè)p-i-n型的光伏器件，其特征在于：它使得所指的p-i-n型光伏器件具有明顯減少的光致衰退。