[發明專利]微晶硅薄膜的形成方法無效

申請號：	200710002570.4	申請日：	2007-01-29
公開（公告）號：	CN101237005A	公開（公告）日：	2008-08-06
發明（設計）人：	李沅民;馬昕	申請（專利權）人：	北京行者多媒體科技有限公司
主分類號：	H01L31/18	分類號：	H01L31/18;H01L21/20;H01L31/0368;H01L31/042
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	100086北京市海淀區中關村南大街***	國省代碼：	北京;11
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摘要：
搜索關鍵詞：	微晶硅薄膜形成方法
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【權利要求書】：

1.?一個氫化微晶硅薄膜，該薄膜厚度不超過3微米，其平均粒徑不小于0.5微米，其特征在于：它的形成過程是，在溫度不低于200℃的基板上，使用等離子體化學氣相沉積法，首先形成一個含有晶核的氫化硅引晶層，然后快速的在該層上形成一個厚度不超過3微米的氫化非晶硅薄膜。隨后將該材料置于一個不小于500個大氣壓的高壓氫氣環境中，在不高于300℃的溫度下，維持3-10小時，從而得到適合于用做光電轉換的氫化微晶硅。

2.?根據權利要求1所述的氫化微晶硅薄膜，其特征在于：所指的含有晶核的氫化硅引晶層，是被摻雜的p型或n型半導體薄膜。

3.?根據權利要求1或權利要求2所述的氫化微晶硅薄膜，其特征在于：它構成了一個光伏器件的一部分。

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