[發明專利]非晶硅多結核電池無效
| 申請號： | 200710002565.3 | 申請日： | 2007-01-29 |
| 公開（公告）號： | CN101236795A | 公開（公告）日： | 2008-08-06 |
| 發明（設計）人： | 李沅民;馬昕 | 申請（專利權）人： | 北京行者多媒體科技有限公司 |
| 主分類號： | G21H1/06 | 分類號： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100086北京市海淀區中關村南大街*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非晶硅多 結核 電池 | ||
1.?一個多結β伏電池，其特征在于：所述多結β伏電池是由多個p-i-n型β伏電池組成，每個所述的p-i-n型β伏電池由以下幾個部分組成：
a)一個由含有硼摻雜的氚化非晶硅薄膜(包括非晶硅或氚化硅合金薄膜)組成的β輻射的p層；
b)一個由含有磷摻雜的氚化非晶硅薄膜(包括非晶硅或氚化硅合金薄膜)組成的β輻射的n層；
c)一個由不含有放射性成分的(包括氚)，厚度在60-800納米范圍之內的，放置在β輻射的p層和n層之間的，本征非晶硅或其合金所組成的層。
2.?一個根據權利要求1而形成的多結β伏電池，其特征在于：所述的β活性層p層和n層的厚度在20-300納米范圍內，氚濃度在3-36原子百分比例范圍內。
3.?一個根據權利要求1而形成的多結β伏電池，其特征在于：所述的多結p-i-n型β伏電池中p層、i層和n層中至少有一層含有近納米硅和它的合金。
4.?一個由多節電池串聯的多結β伏電池，每節所述電池包含了：
a)一個由硼摻雜的非晶硅薄膜或其合金組成的p層；
b)一個由磷摻雜的非晶硅薄膜或硅合金組成的n層；
c)一個由氚等沒有核輻射成分的非晶硅或硅合金組成的放置在所述p層和n層之間的本征i層；
d)一個放置在所述n層旁的具有足夠大電傳導率的β活性層。
5.?一種根據權利要求4而形成的多結β伏電池，其特征在于：具有足夠大電傳導率的β活性接觸層被放置在多結電池中的第一節電池所述的p層上。
6.?一種根據權利要求5而形成的多結β伏電池，其特征在于：所述的多結電池中至少有一個所述的p層和n層由氚化非晶硅薄膜或氚化硅合金薄膜組成。
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