[發(fā)明專利]高壓固相晶化法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710002562.X | 申請日： | 2007-01-29 |
| 公開（公告）號： | CN101235534A | 公開（公告）日： | 2008-08-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李沅民;馬昕 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京行者多媒體科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B1/12 | 分類號： | C30B1/12;C30B28/02;C30B29/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100086北京市海淀區(qū)中關(guān)村南大街*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 高壓 固相晶化法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.?一個多晶硅薄膜，該薄膜厚度不超過5微米，平行于基板的粒徑不小于10微米，其特征在于：它的形成過程是，將低溫下在等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)中生長的氫化非晶硅薄膜置入一個密封的箱體，在箱體中引入含有氫氣的壓力不低于200個大氣壓的氣體，并維持在不低于600℃的溫度下，持續(xù)2-20小時。
2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅薄膜，其特征在于：它是被摻雜的p型或n型半導(dǎo)體材料。
3.?根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的多晶硅薄膜，其特征在于：它構(gòu)成了一個光伏器件的一部分。
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