[發(fā)明專利]形成抗蝕圖案的方法、半導體器件及其生產(chǎn)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710002394.4
• 申請日: 2007-01-15
• 公開（公告）號: CN101226335A
• 公開（公告）日: 2008-07-23
• 發(fā)明（設計）人: 小澤美和;野崎耕司
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16;G03F7/26;G03F7/004;H01L21/027;H01L21/00
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 吳小瑛

1.一種形成抗蝕圖案的方法，至少包括：

形成抗蝕圖案，

涂覆抗蝕圖案增厚材料以覆蓋所述抗蝕圖案的表面，所述抗蝕圖案增厚材料包括至少一種樹脂和由如下所示通式(1)表示的化合物，

焙烘所述抗蝕圖案增厚材料，和

顯影并分離所述抗蝕圖案增厚材料，

其中涂覆、焙烘和顯影步驟中的至少一個步驟被執(zhí)行多次；

通式(1)

通式(1)中，“X”表示由下列結構式(1)表示的官能團；“Y”表示羥基、氨基、烷基取代的氨基、烷氧基、烷氧羰基和烷基中的至少一種，其中的取代數(shù)為0至3的整數(shù)；“m”表示1或1以上的整數(shù)，“n”表示0或0以上的整數(shù)；

結構式(1)

結構式(1)中，“R¹”和“R²”可以是相同的或不同的，各自表示氫原子或取代基；“Z”表示羥基、氨基、烷基取代的氨基和烷氧基中的至少一種，其中的取代數(shù)為0至3的整數(shù)。

2.根據(jù)權利要求1所述的形成抗蝕圖案的方法，其中至少涂覆步驟被執(zhí)行多次。

3.根據(jù)權利要求1所述的形成抗蝕圖案的方法，其中涂覆和焙烘步驟被執(zhí)行多次。

4.根據(jù)權利要求1所述的形成抗蝕圖案的方法，其中涂覆、焙烘和顯影步驟被執(zhí)行多次。

5.根據(jù)權利要求1所述的形成抗蝕圖案的方法，其中所述多次為兩次至五次。

6.根據(jù)權利要求1所述的形成抗蝕圖案的方法，其中抗蝕圖案增厚材料是水溶性的或堿溶性的。

7.根據(jù)權利要求1所述的形成抗蝕圖案的方法，其中抗蝕圖案增厚材料中的由通式(1)表示的化合物具有m＝1的關系式。

8.根據(jù)權利要求1所述的形成抗蝕圖案的方法，其中利用水和堿性顯影劑中的至少一種進行顯影。

9.根據(jù)權利要求1所述的形成抗蝕圖案的方法，其中利用至少一種含有ArF抗蝕劑和丙烯酸樹脂的抗蝕劑形成抗蝕圖案。

10.根據(jù)權利要求9所述的形成抗蝕圖案的方法，其中所述ArF抗蝕劑是從下列組中選出的至少一種，該組由在側鏈上具有脂環(huán)官能團的丙烯酸抗蝕劑、環(huán)烯-馬來酸酐抗蝕劑和環(huán)烯抗蝕劑組成。

11.根據(jù)權利要求1所述的形成抗蝕圖案的方法，其中抗蝕圖案增厚材料內(nèi)的樹脂是選自于由聚乙烯醇、聚乙烯醇縮醛和聚乙酸乙烯脂組成的組中的至少一種。

12.一種生產(chǎn)半導體器件的方法，至少包括：

在加工面上形成抗蝕圖案，和

利用該抗蝕圖案作為掩膜通過刻蝕的方式圖案化該抗蝕圖案，

其中用形成抗蝕圖案的方法將抗蝕圖案圖案化，所述形成抗蝕圖案的方法包括：

形成抗蝕圖案，

涂覆抗蝕圖案增厚材料以覆蓋抗蝕圖案的表面，所述抗蝕圖案增厚材料包括至少一種樹脂和由如下所示通式(1)表示的化合物，

焙烘所述抗蝕圖案增厚材料，和

顯影并分離所述抗蝕圖案增厚材料，

其中涂覆、焙烘和顯影步驟中的至少一個步驟被執(zhí)行多次；

通式(1)

通式(1)中，“X”表示由下列結構式(1)表示的官能團；“Y”表示羥基、氨基、烷基取代的氨基、烷氧基、烷氧羰基和烷基中的至少一種，其中的取代數(shù)為0至3的整數(shù)；“m”表示1或1以上的整數(shù)，“n”表示0或0以上的整數(shù)；

結構式(1)

結構式(1)中，“R¹”和“R²”可以是相同的或不同的，各自表示氫原子或取代基；“Z”表示羥基、氨基、烷基取代的氨基和烷氧基中的至少一種，其中的取代數(shù)為0至3的整數(shù)。

13.根據(jù)權利要求12所述的生產(chǎn)半導體器件的方法，其中所述加工面是具有2.7或2.7以下相對介電常數(shù)的低介電常數(shù)膜的表面。

14.根據(jù)權利要求13所述的生產(chǎn)半導體器件的方法，所述低介電常數(shù)膜是多孔硅膜和碳氟樹脂膜中的至少一種。