[發明專利]半導體結構及形成半導體結構的方法無效
| 申請號： | 200710002380.2 | 申請日： | 2007-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN101005052A | 公開（公告）日： | 2007-07-25 |
| 發明（設計）人： | 楊海寧;德溫德拉·K.·薩達納;布賴恩·J.·格林;喬爾·P.·德索扎;基思·愛德華·弗格爾 | 申請（專利權）人： | 國際商業機器公司 |
| 主分類號： | H01L23/00 | 分類號： | H01L23/00;H01L29/02;H01L29/78;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
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