[發明專利]絕緣結構及其形成方法、以及淺溝槽絕緣結構的形成方法

無效

• 申請號: 200710002274.4
• 申請日: 2007-01-17
• 公開（公告）號: CN101118870A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發明（設計）人: 蔡正原;林志隆;薛正誠
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L27/02
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 高龍鑫

1.一種絕緣結構的形成方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

(a)于基底中形成開口；

(b)沿著該開口順應性地形成材料層，該材料層包括以四乙氧基硅烷為反應物的氧化層；以及

(c)于該以四乙氧基硅烷為反應物的氧化層上形成介電層，且該介電層填入該開口中。

2.根據權利要求1所述的絕緣結構的形成方法，其特征在于，其還包括以下步驟：

沿著所述開口順應性地于所述以四乙氧基硅烷為反應物的氧化層之下形成襯層。

3.根據權利要求1所述的絕緣結構的形成方法，其特征在于，形成所述以四乙氧基硅烷為反應物的氧化層的步驟包括次常壓化學氣相沉積法。

4.根據權利要求3所述的絕緣結構的形成方法，其特征在于，所述次常壓化學氣相沉積法的工作壓力為300mTorr～700mTorr，工作溫度為450℃～600℃。

5.根據權利要求1所述的絕緣結構的形成方法，其特征在于，其還包括以下步驟：

于所述基底上形成墊氧化層，其中所述開口貫穿該墊氧化層；

通過蝕刻工序去除該墊氧化層，其中所述蝕刻工序中，對所述以四乙氧基硅烷為反應物的氧化層及墊氧化層進行蝕刻的蝕刻速率比為1.4。

6.根據權利要求1所述的絕緣結構的形成方法，其特征在于，形成所述介電層的步驟包括次常壓化學氣相沉積法。

7.根據權利要求1所述的絕緣結構的形成方法，其特征在于，其還包括以下步驟：

對所述以四乙氧基硅烷為反應物的氧化層實施退火工序，該退火工序的溫度為1000℃，并且維持此溫度30分鐘。

8.一種淺溝槽絕緣結構的形成方法，其特征在于，其包括以下步驟：

(a)于基底上形成墊氧化層，且于該基底及該墊氧化層中形成開口；

(b)沿著該開口順應性地形成襯層；

(c)沿著該開口且在該襯層上順應性地形成材料層，該材料層包括以四乙氧基硅烷為反應物的氧化層，其中該以四乙氧基硅烷為反應物的氧化層是以次常壓化學氣相沉積工序形成，該次常壓化學氣相沉積工序的工作壓力為300mTorr～700mTorr，工作溫度為450～600℃；以及

(d)于該以四乙氧基硅烷為反應物的氧化層上形成介電層，且該介電層填入該開口中。

9.根據權利要求8所述的淺溝槽絕緣結構的形成方法，其特征在于，形成所述介電層的步驟包括次常壓化學氣相沉積法。

10.根據權利要求8所述的淺溝槽絕緣結構的形成方法，其特征在于，其還包括以下步驟：

對所述以四乙氧基硅烷為反應物的氧化層實施退火工序，該退火工序的溫度為1000℃，并且維持此溫度30分鐘。

11.一種絕緣結構，其特征在于，其包括：

材料層，其沿著基底中的開口順應性地形成，該材料層包括以四乙氧基硅烷為反應物的氧化層；以及

介電層，其于該以四乙氧基硅烷為反應物的氧化層上形成，且該介電層填入該開口中。

12.根據權利要求11所述的絕緣結構，其特征在于，其還包括：

襯層，其順應性地沿著該開口形成且位于該以TEOS為反應物的氧化層之下。

13.根據權利要求11所述的絕緣結構，其特征在于，所述介電層包括次常壓未摻雜硅玻璃層。