[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示器以及制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710001984.5
• 申請日: 2007-01-16
• 公開（公告）號: CN101083261A
• 公開（公告）日: 2007-12-05
• 發(fā)明（設計）人: 黃義勛;崔雄植
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/32;H01L21/82
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 郭鴻禧;常桂珍

1、一種有機發(fā)光顯示器，包括：

基底；

薄膜晶體管，形成在所述基底的一部分上，所述薄膜晶體管具有有源層、柵電極以及置于所述有源層和所述柵電極之間的柵極絕緣層；

存儲電容器，形成在所述基底的另一部分上，所述存儲電容器具有形成在與形成所述有源層的表面相同的表面上的第一電極、形成在與形成所述柵電極的表面相同的表面上的第二電極以及位于所述第一電極和所述第二電極之間的柵極絕緣層；

其中，所述有源層和所述第一電極由本征多晶硅層制成。

2、根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中，所述本征多晶硅層的電阻在1E8Ω至1E11Ω的范圍內(nèi)。

3、根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中，所述有源層和所述第一電極分別形成在所述柵電極和所述第二電極的下方。

4、根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，還包括形成在所述薄膜晶體管上方的發(fā)光元件。

5、根據(jù)權利要求4所述的有機發(fā)光顯示器，其中，所述發(fā)光元件包括按順序堆疊的第一電極、有機發(fā)光層和第二電極。

6、根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中，所述柵極絕緣層包含按順序堆疊的氮化硅層和氧化硅層。

7、一種制造有機發(fā)光顯示器的方法，包括的步驟有：

提供基底，其中，在所述基底上限定了用于PMOS薄膜晶體管的第一區(qū)域和用于存儲電容器的第二區(qū)域；

在所述基底上形成本征多晶硅層；

將所述本征多晶硅層圖案化，以形成所述第一區(qū)域中的有源層并形成所述第二區(qū)域中的第一電極；

在所述基底的整個表面上形成柵極絕緣層，以覆蓋所述有源層和所述第一電極；

在所述柵極絕緣層上分別對應于所述有源層和所述第一電極形成柵電極和第二電極；

在所述有源層的兩側(cè)形成P⁺雜質(zhì)區(qū)域。

8、根據(jù)權利要求7所述的方法，其中，所述本征多晶硅層的電阻在1E8Ω至1E11Ω的范圍內(nèi)。

9、根據(jù)權利要求8所述的方法，其中，形成所述本征多晶硅層的步驟包括利用等離子體增強化學氣相沉積工藝來沉積非晶硅層并執(zhí)行退火工藝。

10、根據(jù)權利要求9所述的方法，其中，通過爐內(nèi)退火和準分子激光退火之一來執(zhí)行所述退火工藝。

11、根據(jù)權利要求7所述的方法，其中，形成所述柵極絕緣層的步驟包括按順序堆疊氮化硅層和氧化硅層。

12、一種制造有機發(fā)光顯示器的方法，包括的步驟有：

提供基底，其中，在所述基底上限定了用于第一導電類型的第一MOS薄膜晶體管的第一區(qū)域、用于第二導電類型的第二MOS薄膜晶體管的第二區(qū)域和用于存儲電容器的第三區(qū)域，其中，所述第一導電類型與所述第二導電類型相反；

在所述基底的整個表面上形成本征多晶硅層；

將所述本征多晶硅層圖案化，以分別形成所述第一區(qū)域中的第一有源層和所述第二區(qū)域中的第二有源層，并形成第三區(qū)域中的第一電極；

在所述基底的整個表面上形成柵極絕緣層，以覆蓋所述第一有源層和所述第二有源層以及所述第一電極；

在所述柵極絕緣層上分別對應于所述第一有源層和所述第二有源層形成第一柵電極和第二柵電極，并在所述柵極絕緣層上對應于所述第一電極形成第二電極；

在所述第一有源層的兩側(cè)形成第一導電類型的雜質(zhì)區(qū)域；

在所述第二有源層的兩側(cè)形成第二導電類型的雜質(zhì)區(qū)域。

13、根據(jù)權利要求12所述的方法，其中，所述本征多晶硅層的電阻在1E8Ω至1E11Ω的范圍內(nèi)。

14、根據(jù)權利要求13所述的方法，其中，形成所述本征多晶硅層的步驟包括利用等離子體增強化學氣相沉積工藝來沉積非晶硅層并執(zhí)行退火工藝。

15、根據(jù)權利要求14所述的方法，其中，通過爐內(nèi)退火和準分子激光退火之一來執(zhí)行所述退火工藝。

16、根據(jù)權利要求12所述的方法，其中，形成所述柵極絕緣層的步驟包括按順序堆疊氮化硅層和氧化硅層。

17、根據(jù)權利要求12所述的方法，其中，當所述第一導電類型是N型時，所述第二導電類型是P型，當所述第一導電類型是P型時，所述第二導電類型是N型。