[發明專利]微機電系統裝置及其梳狀電極的形成方法

無效

• 申請號: 200710001784.X
• 申請日: 2007-01-16
• 公開（公告）號: CN101088911A
• 公開（公告）日: 2007-12-19
• 發明（設計）人: 鄭錫煥;姜錫鎮;崔鎣;鄭賢九
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;G02B26/10;B81B5/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1、一種形成微機電系統裝置的梳狀電極的方法，包括：

在第一硅襯底的一側以規則的間隔形成多個平行的溝槽，從而在所述第一硅襯底的一側上交替界定高度不同的第一區域和第二區域；

氧化所述第一硅襯底以在所述高度不同的第一區域和第二區域中形成氧化層；

在所述氧化層上形成多晶硅層以至少填滿所述溝槽從而使具有不同高度的氧化層平化；

將第二襯底直接結合到所述多晶硅層的頂表面上；

使用第一掩模選擇性地蝕刻所述第二硅襯底和所述多晶硅層，從而形成與所述第一區域垂直對齊的上梳狀電極；

使用第二掩模選擇性地蝕刻所述第一硅襯底以形成與所述第二區域垂直對齊的下梳狀電極；以及

去除在所述上梳狀電極和所述下梳狀電極之間夾置的氧化層。

2、根據權利要求1的方法，還包括在形成所述多晶硅層之后通過化學機械拋光使所述多晶硅層平化。

3、根據權利要求1的方法，還包括在形成所述多晶硅層之后根據所述溝槽的深度在所述多晶硅層上另外生長外延層。

4、根據權利要求1的方法，還包括在結合所述第二硅襯底之后，通過化學機械拋光將所述第二硅襯底的頂表面拋光，從而將所述第二硅襯底減薄到希望的厚度。

5、根據權利要求1的方法，其中通過硅直接結合工藝結合所述第二硅襯底。

6、根據權利要求1的方法，其中形成在所述第一區域中的上梳狀電極與形成在所述第二區域中的下梳狀電極重疊，并且所述上梳狀電極和下梳狀電極之間的重疊長度對應于所述第一區域和第二區域之間的高度差。

7、根據權利要求1的方法，其中所述第一掩模與形成在所述第一區域中的氧化層垂直地對齊。

8、根據權利要求1的方法，其中通過使用已經形成的上梳狀電極使所述第二掩模與所述第二區域垂直地對齊。

9、根據權利要求1的方法，其中所述第一區域要寬于所述上梳狀電極。

10、根據權利要求1的方法，其中所述第二區域要寬于所述下梳狀電極。

11、一種微機電系統裝置，包括：

以振動模式工作的平臺；

設置在所述平臺周圍以支撐所述平臺并允許所述平臺旋轉的框架；

從所述平臺向所述框架彼此平行地延伸的多個驅動梳狀電極；以及

從所述框架延伸并與所述驅動梳狀電極嚙合的多個固定梳狀電極；

其中，所述驅動梳狀電極和固定梳狀電極設置在不同的高度并且在垂直方向上彼此重疊預定長度。

12、根據權利要求11的微機電系統裝置，其中所述驅動梳狀電極和固定梳狀電極在垂直方向上彼此重疊，從而防止在所述驅動梳狀電極和固定梳狀電極之間的垂直間隙。