[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200710001688.5
• 申請日: 2007-01-12
• 公開（公告）號: CN101127333A
• 公開（公告）日: 2008-02-20
• 發明（設計）人: 宇野正;齋藤信勝
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 張龍哺

1.一種半導體器件，包括：

半導體元件，其設置在布線板的上方；

密封樹脂，其構造為密封該半導體元件；以及

增強樹脂，其設置在該密封樹脂和該布線板的邊界部分的至少一部分上。

2.如權利要求1所述的半導體器件，

其中，該增強樹脂沿著該密封樹脂和該布線板的邊界部分的周邊設置。

3.如權利要求1所述的半導體器件，

其中，該增強樹脂設置在該密封樹脂的拐角部分附近的、該密封樹脂和該布線板的邊界部分處。

4.如權利要求1所述的半導體器件，

其中，該增強樹脂設置在該密封樹脂的拐角部分的、該密封樹脂和該布線板的邊界部分處。

5.如權利要求1所述的半導體器件，

其中，該增強樹脂具有在俯視圖形成有凹進部分的結構。

6.如權利要求1所述的半導體器件，

其中，該增強樹脂的沿豎直方向的長度大于等于幾十μm，且小于等于該密封樹脂的厚度。

7.如權利要求1所述的半導體器件，

其中，該增強樹脂的沿水平方向的長度大于等于幾十μm，且小于等于從該密封樹脂的端部到該布線板的端部的距離。

8.如權利要求1所述的半導體器件，

其中，該增強樹脂由與該密封樹脂的材料相同的材料制成。

9.如權利要求8所述的半導體器件，

其中，該密封樹脂和該增強樹脂由熱固環氧樹脂制成。

10.如權利要求1所述的半導體器件，

其中，該增強樹脂由與該密封樹脂的材料不同的材料制成。

11.如權利要求10所述的半導體器件，

其中，該增強樹脂由熱固環氧樹脂制成。

12.一種半導體器件的制造方法，該半導體器件具有通過密封樹脂密封設置在布線板的上方的半導體元件的結構，該制造方法包括以下步驟：

當密封該半導體元件時，在該密封樹脂和該布線板的邊界部分的至少一部分處，與該密封樹脂一起一次性地設置由與該密封樹脂的材料相同的材料制成的增強樹脂。

13.如權利要求12所述的半導體器件的制造方法，

其中，預先在用于通過該密封樹脂密封該半導體元件的模具中形成與設置在該布線板的上方的增強樹脂的外部結構相對應的結構。

14.一種半導體器件的制造方法，該半導體器件具有通過密封樹脂密封設置在布線板的上方的半導體元件的結構，該制造方法包括以下步驟：

在該布線板的上方設置密封樹脂并使該密封樹脂成為固體之后，在該密封樹脂和該布線板的邊界部分的至少一部分處設置由與該密封樹脂的材料不同的材料制成的增強樹脂。

15.如權利要求14所述的半導體器件的制造方法，

其中，該增強樹脂通過灌封方法設置在該布線板的上方。