[發明專利]具導電凸塊的半導體裝置及其制法

無效

• 申請號: 200710001580.6
• 申請日: 2007-01-08
• 公開（公告）號: CN101221913A
• 公開（公告）日: 2008-07-16
• 發明（設計）人: 柯俊吉;黃建屏
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/485
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種具導電凸塊的半導體裝置的制法，包括：

提供一表面設有焊墊及保護層的半導體基材，該保護層覆蓋該半導體基材且外露出該焊墊；

于該保護層上形成第一金屬層，并令該第一金屬層與外露于該保護層的焊墊電性連接；

于該第一金屬層及保護層上覆蓋第二覆蓋層，且令該第二覆蓋層外露出部分第一金屬層；

于該第二覆蓋層上形成第二金屬層，并令該第二金屬層與外露的第一金屬層電性連接；

于該第二金屬層及第二覆蓋層上覆蓋第三覆蓋層，且令該第三覆蓋層形成有開孔，以外露出部分第二金屬層；

于外露出該第三覆蓋層開孔的第二金屬層上形成一金屬柱；以及

于該金屬柱外表面形成焊錫材料。

2.根據權利要求1所述的具導電凸塊的半導體裝置的制法，其中，該第三覆蓋層開孔中心點與該焊墊中心點位置相對應。

3.根據權利要求1所述的具導電凸塊的半導體裝置的制法，其中，于該半導體基材的焊墊及保護層上復先覆蓋有第一覆蓋層，且令該第一覆蓋層外露出該焊墊，再于該第一覆蓋層上形成第一金屬層，并使該第一金屬層電性連接至該焊墊，以于該第一金屬層上先后形成該第二覆蓋層、第二金屬層、第三覆蓋層、金屬柱及焊錫材料。

4.根據權利要求3所述的具導電凸塊的半導體裝置的制法，其中，該保護層為氮化硅層，該第一及第二覆蓋層選自苯環丁烯及聚亞酰胺的其中一者，該第三覆蓋層選自介電層及拒焊層的其中一者。

5.根據權利要求1或3所述的具導電凸塊的半導體裝置的制法，其中，該第三覆蓋層開孔中復形成有第三金屬層，并令該第三金屬層與外露于該第三覆蓋層開孔的該第二金屬層電性連接，以于該第三金屬層上形成該金屬柱及焊錫材料。

6.根據權利要求5所述的具導電凸塊的半導體裝置的制法，其中，該第三金屬層為焊塊底部金屬層。

7.根據權利要求1所述的具導電凸塊的半導體裝置的制法，其中，該保護層為聚亞酰胺，該第一及第二覆蓋層選自苯環丁烯及聚亞酰胺的其中一者，該第三覆蓋層選自介電層及拒焊層的其中一者。

8.根據權利要求1所述的具導電凸塊的半導體裝置的制法，其中，該第一及第二金屬層為重配置層。

9.根據權利要求1所述的具導電凸塊的半導體裝置的制法，其中，該半導體基材為半導體芯片及具多個芯片單元的晶圓的其中一者。

10.根據權利要求1所述的具導電凸塊的半導體裝置的制法，其中，該焊錫材料為帽狀及球狀的其中一者。

11.一種具導電凸塊的半導體裝置，其包括：

表面設有焊墊及保護層的半導體基材，該保護層覆蓋該半導體基材且外露出該焊墊；

第一金屬層，形成于該保護層上，并與該外露的焊墊電性連接；

第二覆蓋層，覆蓋于該第一金屬層及保護層層上，且形成有開孔以外露出部分第一金屬層；

第二金屬層，形成于該第二覆蓋層上，并與外露的第一金屬層電性連接；

第三覆蓋層，覆蓋于該第二金屬層及第二覆蓋層上，且該第三覆蓋層設有開孔，以外露出部分第二金屬層；

金屬柱，形成于外露出該第三覆蓋層開孔的該第二金屬層上；以及

焊錫材料，形成于該金屬柱外表面。

12.根據權利要求11所述的具導電凸塊的半導體裝置，其中，該第三覆蓋層開孔中心點與該焊墊中心點位置相對應。

13.根據權利要求11所述的具導電凸塊的半導體裝置，復包括有第一覆蓋層，覆蓋于該半導體基材的焊墊及保護層上，且令該第一覆蓋層外露出該焊墊，以于該第一覆蓋層上形成該第一金屬層，并使該第一金屬層電性連接至該焊墊，及于該第一金屬層上形成有該第二覆蓋層、第二金屬層、第三覆蓋層、金屬柱及焊錫材料。

14.根據權利要求13所述的具導電凸塊的半導體裝置，其中，該保護層為氮化硅層，該第一及第二覆蓋層選自苯環丁烯及聚亞酰胺的其中一者，該第三覆蓋層選自介電層及拒焊層的其中一者。

15.根據權利要求11或13所述的具導電凸塊的半導體裝置，復包括有第三金屬層，形成于該第三覆蓋層開孔中，并令該第三金屬層與外露于該第三覆蓋層開孔的該第二金屬層電性連接，以于該第三金屬層上形成該金屬柱及焊錫材料。