[發明專利]非揮發內存的重置方法有效
| 申請號： | 200710001281.2 | 申請日： | 2007-01-16 |
| 公開（公告）號： | CN101226942A | 公開（公告）日： | 2008-07-23 |
| 發明（設計）人： | 郭明昌 | 申請（專利權）人： | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/115 | 分類號： | H01L27/115;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 周國城 |
| 地址： | 臺灣省新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 揮發 內存 重置 方法 | ||
1.一種非揮發內存的重置方法，其特征在于：該非揮發內存包括一第一導電型基底上的多個記憶胞，其中每一記憶胞包括部分該基底、一控制閘、該部分基底及控制閘之間的一電荷儲存層，以及該部分基底中的二第二導電型源/漏極區，該方法是利用雙邊偏壓-頻帶穿隧熱電洞效應來進行，包括：
在該基底上施加一第一電壓，并在各該二源/漏極區上施加一第二電壓，其與該第一電壓的差足以產生頻帶穿隧熱電洞；以及
控制各該控制閘上所施加的一閘電壓以及該些電壓的一施加時間，以使該些記憶胞所具有的啟始電壓收斂至一可容許范圍內。
2.如權利要求1所述的非揮發內存的重置方法，其特征在于：各該控制閘上施加的該閘電壓等于該第一電壓。
3.如權利要求2所述的非揮發內存的重置方法，其特征在于：該第一導電型為P型，該第二導電型為N型，且該第二電壓高于該第一電壓。
4.如權利要求3所述的非揮發內存的重置方法，其特征在于：該第一電壓為0V，且該第二電壓為5V～7V。
5.如權利要求1所述的非揮發內存的重置方法，其特征在于：該閘電壓包括交替施加的一第三電壓及一第四電壓，該第三電壓高于該第一電壓，且該第四電壓低于該第一電壓。
6.如權利要求5所述的非揮發內存的重置方法，其特征在于：該第一電壓與及該第三電壓的差等于該第一電壓與該第四電壓的差，且每一次施加該第三電壓的時間等于每一次施加該第四電壓的時間。
7.如權利要求6所述的非揮發內存的重置方法，其特征在于：該第一導電型為P型，該第二導電型為N型，且該第二電壓高于該第一電壓。
8.如權利要求7所述的非揮發內存的重置方法，其特征在于：該第一電壓為0V，該第二電壓為5V～7V，該第三電壓為5V～7V，且該第四電壓為-5V～-7V。
9.如權利要求1所述的非揮發內存的重置方法，其特征在于：該電荷儲存層包括一浮置閘、一電荷補陷層或一納米晶粒層。
10.如權利要求9所述的非揮發內存的重置方法，其特征在于：該電荷儲存層包括一電荷補陷層或一納米晶粒層，且每一記憶胞包括分別靠近該二源/漏極區的二數據儲存區。
11.如權利要求1所述的非揮發內存的重置方法，其特征在于：該非揮發內存具有一虛擬接地陳列結構。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
