[發明專利]制造非易失性存儲器件的方法

有效

• 申請號: 200710000603.1
• 申請日: 2007-01-09
• 公開（公告）號: CN101079396A
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發明（設計）人: 崔元烈
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 楊生平;楊紅梅

1.一種制造非易失性存儲器件的方法，其包括以下步驟：

形成柵極，所述柵極各自具有其中在半導體襯底上層疊柵極絕緣層、第一導電層、介電層、第二導電層和金屬硅化物層的結構；

在與所述介電層的退火溫度相同或低于所述介電層的退火溫度的溫度下退火所述金屬硅化物層；

在整個表面上形成緩沖氧化物層；和

在所述緩沖氧化物層上形成氮化物層。

2.權利要求1的方法，其中所述介電層具有氧化物層、氮化物層和氧化物層的ONO層疊結構，并且在800至850攝氏度的溫度范圍內退火。

3.權利要求1的方法，其中所述金屬硅化物層的退火溫度在750至800攝氏度范圍內。

4.權利要求1的方法，其中所述金屬硅化物層包括硅化鎢層。

5.權利要求4的方法，其中所述硅化鎢層的退火過程包括：

在750攝氏度進行的裝載步驟，

溫度從750攝氏度升高到800攝氏度的升溫步驟，

在800攝氏度進行的退火保溫步驟，

溫度從800攝氏度降低到750攝氏度的降溫步驟，

在750攝氏度進行的卸載步驟。

6.權利要求5的方法，其中所述硅化鎢層的退火過程在N₂氣氛下進行。

7.權利要求1的方法，其在所述金屬硅化物層的退火過程以后還包括以下步驟：

在半導體襯底中形成雜質離子注入區；和

形成柵極隔離絕緣層。

8.權利要求1的方法，其中所述氮化物層通過等離子體增強化學氣相沉積法形成。

9.權利要求1的方法，其中所述氮化物層在400至730攝氏度的溫度范圍內形成。

10.權利要求1的方法，其中形成所述氮化物的步驟包括：

在N₂氣氛下，壓力保持在大氣壓，在400攝氏度的溫度下進行的裝載步驟，

在N₂氣氛下，壓力保持在5Torr，將溫度升高到730攝氏度的升溫步驟，

在N₂、NH₃和SiH₂Cl₂的混合氣氛下，壓力保持在0.35Torr，在730攝氏度的溫度下進行的沉積步驟，

在N₂氣氛下，壓力保持在0.35Torr，將溫度降低到400攝氏度的降溫步驟，和

在N₂氣氛下，在將壓力緩慢升高到大氣壓的同時在400攝氏度的溫度下進行的卸載步驟。

11.權利要求10的方法，其中：

在所述升溫步驟中，所述溫度每分鐘升高5攝氏度，和

在所述降溫步驟中，所述溫度每分鐘降低3攝氏度。