[發明專利]發光二極管及其熒光粉及有機薄膜層

無效

• 申請號: 200710000046.3
• 申請日: 2007-01-08
• 公開（公告）號: CN101104803A
• 公開（公告）日: 2008-01-16
• 發明（設計）人: 索辛納姆;羅維鴻;蔡綺睿
• 申請（專利權）人: 羅維鴻
• 主分類號: C09K11/80
• 分類號: C09K11/80;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種熒光粉，其以釔鋁石榴石為基體，鈰作激發劑， 其組成中加入了鋱離子、鎵離子、鐿離子和镥離子， 形成化學式為(Y_1-x-y-z-p-qGd_xTb_yYb_zLu_pCe_q)₃Al₅O₁₂的化合 物，其中x＝0.05～0.9，y＝0.001～0.3，z＝0.01～0.05， p＝0.01～0.2，q＝0.0001～0.2。

2.如權利要求1所述的熒光粉，其中激發劑的含量 為0.07≤Ce/(Gd+Tb+Yb+Lu)≤0.20。

3.如權利要求1所述的熒光粉，其中活性離子Ce⁺³與釔鋁石榴石基體中另外加入的Tb，Yb，Lu離子的濃 度比的取值范圍為0.09≤Ce/(Tb+Yb+Lu)≤0.23。

4.如權利要求1所述的熒光粉，其吸收InGaN半導體 異質結所發出的λ＝440～480nm的短波輻射，再輻射出 峰值波長λ＝525～595nm的光，峰值向長波段方向移動 的距離隨(Gd+Ce)/(Y+Lu+Gd+Tb+Yb+Ce)的比值在 0.05～1之間增大而增大。

5.如權利要求4所述的熒光粉，其被半導體異質結 的短波輻射激發時，該熒光粉發光的余輝隨(Ce+Yb) /(Y+Lu+Gd+Tb+Ce)的比值在0.005～0.1間增大而減小， 變化范圍為120～60奈秒。

6.一種有機薄膜層，其由聚合物與覆蓋在半導體異 質結發光面上的熒光粉的混合物組成，在該聚合物中 填充入如權利要求1所述的熒光粉。

7.如權利要求6所述的有機薄膜層，其中該聚合物中 填充該熒光粉的質量濃度為10～70％。

8.如權利要求7所述的有機薄膜層，其中該熒光粉的 厚度為80～240微米。

9.如權利要求6所述的有機薄膜層，其可吸收20～90 ％半導體異質結的原始短波輻射，將其與該熒光粉自 身發出的黃橙色光相混合，最終形成色溫 T＝6500～2800K的白色光。

10.一種發光二極管，其由覆蓋有包含如權利要求1 所述的熒光粉填充物的聚合層的有機薄膜層和球面透鏡 構成，該有機薄膜層的軸線的交點與該球面透鏡的焦點 相重合。

11.如權利要求10所述的發光二極管，其中該聚合 物可為硅氧烷樹脂、環氧樹脂或聚碳酸酯。

12.如權利要求10所述的發光二極管，其中該有機薄 膜層與該球面透鏡之間的空間進一步可加入一層透光 聚合膜層。

13.如權利要求12所述的發光二極管，其中該透光 聚合膜層的折射率為1.4≤n≤1.6，其分子質量 ＝10000～20000個碳單位。

14.如權利要求10所述的發光二極管，其在2θ＝30 °時，光強J＝100-200cd，完全光效能η＞40lm/w，白光 色品坐標X＞0.32，Y＞0.31。

15.如權利要求10所述的發光二極管，其中該熒光 粉的激發劑的含量為0.07≤Ce/(Gd+Tb+Yb+Lu)≤0.20。

16.如權利要求10所述的發光二極管，其中該熒光 粉的活性離子Ce⁺³與釔鋁石榴石基體中另外加入的Tb， Yb，Lu離子的濃度比的取值范圍為0.09≤Ce/ (Tb+Yb+Lu)≤0.23。

17.如權利要求10所述的發光二極管，其中該熒光 粉吸收InGaN半導體異質結所發出的λ＝440～480nm 的短波輻射，再輻射出峰值波長λ＝525～595nm的光， 峰值向長波段方向移動的距離隨(Gd+Ce)/ (Y+Lu+Gd+Tb+Yb+Ce)的比值在0.05～1之間增大而 增大。