[發明專利]發光二極管及其熒光粉

無效

• 申請號: 200710000045.9
• 申請日: 2007-01-08
• 公開（公告）號: CN101104802A
• 公開（公告）日: 2008-01-16
• 發明（設計）人: 索辛納姆;羅維鴻;蔡綺睿
• 申請（專利權）人: 羅維鴻
• 主分類號: C09K11/80
• 分類號: C09K11/80;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種熒光粉，其以釔鋁石榴石為基體，鈰作激 發劑，其組成中加入了鋇離子和氟離子，形成化學式 為(Y_1-x-y-zGd_xCe_yBa_z)₃Al₅O_12-z/2F_z的化合物，其中 x＝0.1～0.45，y＝0.01～0.08，z＝0.0001～0.01，其中該熒光 粉的輻射峰值與該釔鋁石榴石基體中的Gd與Y的濃度 比值成正比。

2.如權利要求1所述的熒光粉，其可輻射出綠黃色 光。

3.如權利要求1所述的熒光粉，其輻射峰值在λ ＝535至585nm波段移動。

4.如權利要求1所述的熒光粉，其顆粒近似于橢圓 形，其平均顆粒度為d₅₀＝10～20微米，具有六邊形十二 面體的晶體架構，十二面體的棱長取決于顆粒中氟離 子的濃度，隨氟離子濃度的增大而增大。

5.如權利要求1所述的熒光粉，其具有單晶石榴石 的立方體微架構，在X光的照射下，其主平面(hkl)＝ (420)的主峰值面積小于550個單位，半高半寬的夾角 為3度，晶格參數d＝12.05A。

6.如權利要求4所述的熒光粉，其顆粒的棱面對λ ＝530nm的光的反射系數高達80％以上。

7.如權利要求1所述的熒光粉，其顆粒對λ＝440至 450nm波段的光的最小反射系數為15～20％。

8.如權利要求1所述的熒光粉，其單晶顆粒在X射 線與平面(hkl)＝(211)成18.1度角時具有強烈的X光 架構峰值，強度達到40～43％，與平面(hkl)＝(420) 成33.4度角時的強度為100％。

9.如權利要求1所述的熒光粉，其中該釔鋁石榴石 基體中的Ce離子濃度＝0.015原子分率時，該熒光粉在被 短波異質結發光激發發光的光譜半寬Δλ＝118nm，而 當Ce離子濃度＝0.04原子分率時，光譜半寬Δλ ＝122nm。

10.如權利要求1所述的熒光粉，其中該釔鋁石榴石 基體中的Ba離子濃度從0.005原子分率增大至0.01原子 分率時，其發光的余暉長度從τ_e＝120奈秒增至原來的二 倍τ_e＝240奈秒。

11.如權利要求1所述的熒光粉，其顆粒呈圓形，密 度在d＝2.8～3.2g/cm³。

12.如權利要求1所述的熒光粉，其顆粒表面覆蓋有 組成成分為ZnO?nSiO₂的Zn的硅酸鹽，其中n＝1或2。

13.如權利要求1所述的熒光粉，其顆粒表面的活性 離子濃度為10⁶～10⁷/l。

14.一種發光二極管，其由氮化銦鎵短波異質結、 填充有如權利要求1中所述熒光粉的有機薄膜層及球 面透鏡構成，其中該有機薄膜的基體由熱凝聚合物構 成。

15.如權利要求14所述的發光二極管，其中該熱凝 聚合物可為硅氧烷樹脂、環氧樹脂或聚碳酸酯。

16.如權利要求14所述的發光二極管，其中該熒光 粉顆粒的填充濃度為10～70％，薄膜濃度為50～200微 米。

17.如權利要求14所述的發光二極管，其中該球面 透鏡將半導體異質結的發光透過填充有該熒光粉的有 機薄膜層傳輸出來，該球面透鏡的光軸與該半導體異 質結的主要發光面的幾何中心相重合，形成在輻射半 角2θ處光強為100～1000cd，色溫為2800～12000K的輻 射。