[發明專利]涂布有凸點的半導體晶片的方法

無效

• 申請號: 200680056544.3
• 申請日: 2006-12-08
• 公開（公告）號: CN101595553A
• 公開（公告）日: 2009-12-02
• 發明（設計）人: D·懷亞特;G·達特;A·P·珀瑞茲
• 申請（專利權）人: 漢高股份兩合公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 趙蓉民;路小龍

1.一種涂布半導體晶片的有源面的方法，所述半導體晶片的有源面具有沉積在其上的焊料凸點，所述方法包括：

(a)提供半導體晶片，其具有正面和與所述正面相對的背面，所述正面是有源的并具有沉積在其上的焊料凸點，

(b)將防護材料施加在所述焊料凸點的頂部，

(c)用涂料涂布所述晶片的所述正面，

(d)硬化所述涂料，以及

(e)任選地，將所述防護材料從所述焊料凸點去除。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述防護材料是蠟。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述防護材料被施加到全部焊料凸點高度的5％和100％之間。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述防護材料的表面能與所述涂料的表面能之間存在至少5mN/m的差別。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述防護材料是非極性的并且所述涂料是極性的。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述防護材料具有在-40℃至300℃之間的熔點。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述防護材料是通過將所述有凸點的晶片上的凸點的頂端浸入用所述防護材料浸透的焊盤中來施加的。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述防護材料是通過將所述晶片上的所述焊料凸點的頂端浸入液體狀態的防護材料的池中來施加的。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述涂料是通過旋涂來涂布的。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述涂料是通過模版印刷來涂布的。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述涂料選自雙馬來酰亞胺、環氧、丙烯酸酯及其組合。

12.根據權利要求1所述的方法，其中所述涂料是可B階處理的。

13.根據權利要求1所述的方法，其中所述涂料是可UV固化的。

14.一種半導體晶片，其具有正面和與所述背面相對的背面，其中所述正面a)是有源的、b)凸起有焊料凸點以及c)用如下方法涂布：

i)將防護材料施加在所述焊料凸點的頂部，

ii)用涂料涂布所述晶片的所述正面，

iii)硬化所述涂料，以及

iv)任選地，熔化和/或蒸發所述防護材料。