[發明專利]有源分布式信號分離裝置無效
| 申請號: | 200680056519.5 | 申請日: | 2006-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN101553983A | 公開(公告)日: | 2009-10-07 |
| 發明(設計)人: | 亞歷山大·薩拉平 | 申請(專利權)人: | 湯姆森特許公司 |
| 主分類號: | H03H11/36 | 分類號: | H03H11/36;H03F3/60 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 史新宏 |
| 地址: | 法國布洛涅*** | 國省代碼: | 法國;FR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有源 分布式 信號 分離 裝置 | ||
技術領域
本發明通常涉及信號分離裝置,更具體地涉及具有有利于成本效益的擴展性(expandability)的結構和改善的特征(例如針對輸出信號的獨立頻率選擇)的有源分布式信號分離(active?distributed?signal?splitting)裝置。
背景技術
信號分離裝置為現有技術公知。通常,信號分離裝置提供相應于給定輸入信號的多個輸出信號。傳統信號分離裝置的示例示于美國專利No.4,668,920和5,168,242中。這種傳統裝置由于各種原因被認為不太完善。例如,美國專利No.4,668,920中公開的信號分離裝置的不足在于它的結構不利于擴展性。具體地,該信號分離裝置采用樹狀結構,其中每個新的2路分離器部分必須連接到主2路分離器部分的輸出。這類結構的缺點在于每個輸出處的總噪聲指數(noise?figure)隨著結構被擴展而明顯地惡化。而且,這類結構需要附加的電路來構建具有奇數個輸出的信號分離裝置。
傳統信號分離裝置,諸如在美國專利No.5,168,242中所公開的,由于他們不能提供期望的特征也是不完善的。例如,這種傳統信號分離裝置沒有提供針對輸出信號的獨立頻率選擇。同樣,傳統信號分離裝置提供有限的功能性。因此,需要一種改進類型的信號分離裝置。本發明解決了這些和/或其他問題。
發明內容
根據本發明的一方面,公開了一種有源分布式信號分離裝置。根據示例性實施例,所述裝置包括輸入信號的源和多個輸出點。包括場效應晶體管的信號分離器耦接在所述輸入信號的所述源與所述多個輸出點之間。與所述場效應晶體管相關聯的所述輸出點之一包括濾波器。
根據本發明的另一方面,公開了一種使用有源分布式信號分離裝置來處理輸入信號的方法。根據示例性實施例,所述方法包括步驟:接收輸入信號;使用包括場效應晶體管的信號分離器提供對應于輸入信號的多個輸出信號;和過濾所述輸出信號之一以便提供過濾的輸出信號。
根據本發明的另一方面,公開了另一種有源分布式信號分離裝置。根據示例性實施例,所述裝置包括:用于從輸入信號中提供多個輸出信號的部件,該部件包括場效應晶體管;和用于過濾所述輸出信號之一的部件。
附圖說明
通過參考結合附圖的本發明的實施例的下列描述,本發明的上述和其它特征和優點、以及獲得它們的方式將變得更加明顯,并且本發明將更好理解,其中:
圖1是根據本發明示例性實施例的有源分布式信號分離裝置的電路圖;
圖2是根據本發明另一示例性實施例的有源分布式信號分離裝置的電路圖;和
圖3是根據本發明再一示例性實施例的有源分布式信號分離裝置的電路圖。
具體實施方式
此處闡述的范例圖示了本發明的優選實施例,并且所述范例并不應當被理解為以任何方式限制本發明的范疇。
現在參考附圖,更具體地參考圖1,示出了根據本發明示例性實施例的有源分布式信號分離裝置100的電路圖。如圖1所示的,有源分布式信號分離裝置100包括:輸入點(INPUT)、多個n-溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)Q1-Q3(每個具有相關的輸出點A-C)、多個濾波器10-30、多個電感器L1-L5、和電阻器R1。有源分布式信號分離裝置100采用一種成本效益高的擴展性而在每個輸出不會明顯地惡化噪聲指數的結構。
通常,電感器L1-L5以及電阻器R1的值可被作為設計選擇的事務而選擇,并且可以取決于各種因素,例如額定分布式線阻抗、期望的輸入信號帶寬、以及取決于MOSFET?Q1-Q3的柵極-源極電容和雜散電容的分布式線電容。根據示例性實施例,電感器L1和L4的值可以是電感器L2和L3的值的一半(即,電感器L1和L4中的每一個等于X亨利,而電感器L2和L3中的每一個等于X/2亨利)。電阻器R1例如可以具有50或75歐姆的值。根據設計選擇也可以使用其它值。
在操作中,有源分布式信號分離裝置100的輸入點(INPUT)接收輸入信號,該輸入信號穿過MOSFET?Q1-Q3的各個柵電極。根據示例性實施例,接收的輸入信號可以是表示多個電視信號的寬帶信號。一旦MOSFET?Q1-Q3的各個柵電極接收到輸入信號,該輸入信號被耦接并傳送到如表示為輸出點A-C的各個漏電極。如圖1所示,MOSFET?Q1-Q3的漏電極分別耦接到濾波器10-30,并且MOSFET?Q1-Q3的每個源電極耦接到地和各個晶體管的本體。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于湯姆森特許公司,未經湯姆森特許公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200680056519.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:顯示面板及其制備方法、顯示裝置
- 下一篇:液晶顯示面板構造及其制作方法





