[發明專利]直接鍍覆方法和鈀導電體層形成溶液

有效

• 申請號: 200680056449.3
• 申請日: 2006-11-06
• 公開（公告）號: CN101605928A
• 公開（公告）日: 2009-12-16
• 發明（設計）人: 山本久光
• 申請（專利權）人: 上村工業株式會社
• 主分類號: C25D5/54
• 分類號: C25D5/54;C25D5/56
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 李 帆

1.直接鍍覆方法，其用于對具有絕緣部分的工件的所述絕緣部分實施電解鍍銅，其特征在于：

對所述工件表面進行鈀催化劑處理以將鈀催化劑施加到所述絕緣部分的表面上；

使用如此施加的鈀作為催化劑，用鈀導電體層形成溶液在所述絕緣部分上形成鈀導電體層，所述溶液包含0.0001-0.01mol/L的鈀化合物、0.0001-0.1mol/L的胺化合物、0.01-1mol/L的還原劑和0.0001-0.2mol/L的唑類化合物；和

然后在所述鈀導電體層上直接形成電解銅鍍膜。

2.根據權利要求1的直接鍍覆方法，其中所述工件由聚酰亞胺作為基礎材料制成。

3.根據權利要求1或2的直接鍍覆方法，其中所述工件待進行所述鍍覆處理的部分包含絕緣部分和銅部分，并且通過用所述鈀導電體層形成溶液處理所述工件，選擇性地僅在所述絕緣部分上形成鈀導電體層而不在所述銅部分上形成所述鈀導電體層。

4.根據權利要求3的直接鍍覆方法，其中所述唑類化合物是苯并三唑。

5.根據權利要求3的直接鍍覆方法，其中所述工件是具有通孔和/或過孔的印刷電路板。

6.根據權利要求1的直接鍍覆方法，其中所述鈀導電體層形成溶液具有不高于8的pH。

7.根據權利要求1的直接鍍覆方法，其中通過用經有機聚合物進行分散和穩定化的酸性鈀膠體溶液進行鈀催化劑處理，以將鈀催化劑施加到所述絕緣部分的表面上。

8.用于直接鍍覆的鈀導電體層形成溶液，其特征在于，包含0.0001-0.01mol/L的鈀化合物、0.0001-0.1mol/L的胺化合物、0.01-1mol/L還原劑和0.0001-0.2mol/L的唑類化合物。

9.根據權利要求8的鈀導電體層形成溶液，其中所述唑類化合物是苯并三唑。

10.根據權利要求8或9的鈀導電體層形成溶液，其具有不高于8的pH。