[發明專利]通過在防止基材邊緣的生長的基材上的外延生長制造氮化物單晶的方法

有效

• 申請號: 200680056431.3
• 申請日: 2006-12-08
• 公開（公告）號: CN101600819A
• 公開（公告）日: 2009-12-09
• 發明（設計）人: E·奧若爾;J-P·福里;B·博蒙
• 申請（專利權）人: 盧米洛格股份有限公司
• 主分類號: C30B25/04
• 分類號: C30B25/04;C30B29/40
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司
• 代理人: 程 偉

1.一種通過在適于所述晶體生長的基材上的外延生長制造氮化物單晶 的方法，其中所述基材包括沉積在其生長表面邊緣的適于防止所述單 晶在基材邊緣生長的掩蔽物，其中所述掩蔽物由樹脂材料構成。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述掩蔽物具有至少1毫米的寬 度W。

3.根據權利要求1至2中任一項所述的方法，其中所述掩蔽物的厚度 T為1至3微米。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述掩蔽物的厚度T為1至2微 米。

5.根據權利要求1至2中任一項所述的方法，其中所述基材包括基礎 層和與氮化物晶體的生長可相容的上晶體層。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述上晶體層選自藍寶石、尖晶 石、GaN、AlN、GaAs、Si、6H-SiC、4H-SiC、3C-SiC、LiAlO₂、LiGaO₂、 ZrB₂、HfB₂或其混合物。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述上層為AlN或GaN晶體材 料。

8.根據權利要求5所述的方法，其中所述基礎層為藍寶石層。

9.根據權利要求5所述的方法，其中所述基材包括至少一層在基礎層 與上層之間的犧牲層。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述犧牲層由硅制得。

11.根據權利要求1所述的方法，其中在掩蔽物周界內的氮化物單晶 的生長表面包括直徑為至少50毫米的圓形。

12.根據權利要求1所述的方法，其中所述氮化物晶體選自GaN或AlN。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述氮化物晶體為GaN。

14.根據權利要求1所述的方法，其中所得單晶的厚度為1微米以上。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所得單晶的厚度為100微米至 10厘米。

16.根據權利要求14所述的方法，其中所得單晶的厚度為500微米至 3毫米。

17.根據權利要求1所述的方法，其中所述單晶從基材層除去。

18.根據權利要求17所述的方法，該方法包括晶體切片的進一步的步 驟。

19.一種適于通過外延生長進行氮化物單晶生長的基材，其中所述基 材包括沉積在其生長表面邊緣的適于防止所述單晶在基材邊緣生長的 掩蔽物，其中所述掩蔽物由樹脂材料構成。

20.根據權利要求19所述的基材，其中所述掩蔽物具有1毫米的寬度 W。

21.根據權利要求19至20中任一項所述的基材，其中所述掩蔽物的 厚度T為1至3微米。

22.根據權利要求21所述的基材，其中所述掩蔽物的厚度T為1至2 微米。

23.根據權利要求19至20中任一項所述的基材，其中所述基材包括 基礎層和與氮化物晶體的生長可相容的上晶體層。

24.根據權利要求23所述的基材，其中所述上晶體層選自藍寶石、尖 晶石、GaN、AlN、GaAs、Si、6H-SiC、4H-SiC、3C-SiC，所述上晶體 層與氮化物晶體的生長可相容。

25.根據權利要求24所述的基材，其中所述上層為AlN晶體材料。

26.根據權利要求23所述的基材，其中所述基礎層為藍寶石層。

27.根據權利要求23所述的基材，其中所述基材包括至少一層在基礎 層與上層之間的犧牲層。

28.根據權利要求27所述的基材，其中所述犧牲層由硅制得。