[發明專利]多層導電結構和包括該結構的電位計無效
| 申請號: | 200680056054.3 | 申請日: | 2006-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN101553888A | 公開(公告)日: | 2009-10-07 |
| 發明(設計)人: | J·特珀;F·科尼格;K·尼亞耶什;S·肖夫特 | 申請(專利權)人: | ABB研究有限公司 |
| 主分類號: | H01C10/30 | 分類號: | H01C10/30;H01C10/46;H01C10/16;H01C10/38 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 張 濤;蔣 駿 |
| 地址: | 瑞士*** | 國省代碼: | 瑞士;CH |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多層 導電 結構 包括 電位 | ||
1.一種包括導電的層疊體(10)的電阻器(1),該導電的層疊體(10)包 括:
-多個導電的第一層(12)和
-多個導電的第二層(14),其中
層的總數是3或者更多,第一層(12)是金屬層,并且第一層(12)和第 二層(14)的至少一些以交替的次序設置,該次序可能使某個另外的層或某些 另外的層插入到任意的層疊體位置處,其特征在于,
在兩個相鄰的第一層和第二層(12,14)之間的接觸電阻大于所述第二層 (14)之一的體電阻。
2.根據權利要求1所述的電阻器(1),其中第二層(14)是非金屬層(14)。
3.根據權利要求1所述的電阻器(1),其中第一層(12)具有比第二層(14) 高的維氏硬度。
4.根據權利要求3所述的電阻器(1),其中第一層(12)具有比第二層(14) 高的維氏硬度,其中比第二層(14)的維氏硬度高第一層(12)的維氏硬度的 20%。
5.根據權利要求1所述的電阻器(1),其中第二層(14)的體電阻高于第 一層(12)的體電阻。
6.根據權利要求2所述的電阻器(1),其中第二層(14)的體電阻高于第 一層(12)的體電阻。
7.根據權利要求3所述的電阻器(1),其中第二層(14)的體電阻高于第 一層(12)的體電阻。
8.根據權利要求1至7中的任何一項所述的電阻器(1),其中第二層(14) 具有大于10-8Ωm并小于1Ωm的電阻率。
9.根據權利要求1至7中的任何一項所述的電阻器(1),其中有效接觸表 面是小的,經由該有效接觸表面電流能夠從一層流到另一層,并且接觸電阻是 由于高的集中電阻而產生的。
10.根據權利要求1至7中的任何一項所述的電阻器(1),其中對接觸電阻 的額外貢獻是由于表面污染或表面涂層引起的電阻而產生的。
11.根據權利要求10所述的電阻器(1),其中對接觸電阻的額外貢獻是由 薄膜電阻或氧化物涂層而產生的。
12.根據權利要求1至7中的任何-項所述的電阻器(1),其中大的機械表 面形成了支持大電流的長時間穩定的配置,并且有效接觸表面是小的,其中該機 械表面的一部分被氧化并因此使導電變差。
13.根據權利要求1至7中的任何一項所述的電阻器(1),其中在相鄰的層 (12,14)之間的接觸電阻大于10-5Ω。
14.根據權利要求1至7中的任何一項所述的電阻器(1),其中在相鄰的層 (12,14)之間的接觸電阻小于10-2Ω。
15.根據權利要求1至7中的任何一項所述的電阻器(1),其中在垂直于所 述層(12,14)的平面的方向上的每一層(12,14)的平均電阻大于5μΩ,特 別是在垂直于所述層(12,14)的平面的方向上的每個第二層(14)的平均電 阻大于5μΩ。
16.根據權利要求1至7中的任何一項所述的電阻器(1),其中在垂直于所 述層(12,14)的平面的方向上的每一層(12,14)的平均電阻小于5mΩ,特 別是在垂直于所述層(12,14)的平面的方向上的每個第二層(14)的平均電 阻小于5mΩ。
17.根據權利要求1至7中的任何一項所述的電阻器(1),其中該第二層(14) 包括導電材料,該導電材料選自由下列材料構成的組:碳;軟金屬;導電塑料; 導電環氧樹脂;和/或導電陶瓷;包括金屬合金的金屬;燒結材料;金屬氧化物; 金屬陶瓷;以及摻雜硅酮。
18.根據權利要求1至7中的任何一項所述的電阻器(1),其中該第二層(14) 包括康銅或康銅合金。
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