[發明專利]雙刀雙擲射頻開關及使用該開關的塔上安裝放大器無效
| 申請號: | 200680055825.7 | 申請日: | 2006-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN101573830A | 公開(公告)日: | 2009-11-04 |
| 發明(設計)人: | 李康鉉;李吉鎬;梁亨碩 | 申請(專利權)人: | KMW株式會社 |
| 主分類號: | H01P1/10 | 分類號: | H01P1/10 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 張雪梅;李家麟 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雙刀 射頻 開關 使用 安裝 放大器 | ||
技術領域
本發明涉及一種射頻(RF)開關,尤其涉及一種雙刀雙擲(DPDT)射頻 開關,其可以應用到時分雙工(TDD)系統中的信號傳輸/接收端子的傳輸/接收 信號切換的開關,并且本發明還涉及使用該開關的塔上安裝放大器(Tower Mounted?Amplifier,TMA)。
背景技術
包括TDD方案的時分傳輸方案在時間上對同一頻率進行劃分并且分開使 用劃分的頻率來傳輸/接收。也就是說,時分傳輸方案劃分一個幀來傳輸/接收, 并且通過一個頻率來執行雙向通信。既然采用這種方案的TDD系統通過相同的 頻率根據預定的時間段分開執行傳輸和接收,用于傳輸/接收切換的高速射頻開 關是尤其必要的。
由于射頻開關必須執行高速開關操作,使用諸如pin二極管和場效應晶體 管(FET)之類的半導體器件的開關被利用,而不是機械開關。然而,這種采用 半導體器件的開關難以用作大功率開關,因為半導體不能耐受大功率。
換言之,當大功率施加到該開關時,會產生大量的熱。如果不能確保抵抗 熱量的足夠保護,該開關最終會損壞。進一步,所研發的耐受大功率的射頻開 關必須具有單獨的制冷器等,因此非常昂貴。另外,制造這樣的射頻開關也是 困難的。因此,該射頻開關主要用于軍事目的。
為了解決這個問題,TDD系統采用的一種方法是通過使用循環器 (circulator)而不是射頻開關來固定的分離接收信號與傳輸信號。但是,在使用 循環器的情況下,難以確保足夠的隔離來在接收間隙阻擋傳輸信號。當天線在 發射功率的傳輸期間由于天線中出現問題而進入開路狀態(open?state)時,傳 輸信號進入接收器,因此系統可能出現不正常,或者接收信號的質量可能會嚴 重劣化。進一步,發生傳輸無源互調失真(PIMD),并且影響其他通信提供商 的無線電波質量。
發明內容
技術問題
因此,本發明旨在解決上面提及的現有技術中的問題,本發明的目的是提 供一種DPDT射頻開關,其能夠用于TDD系統的傳輸/接收切換,以便確保在 傳輸和接收端子之間的足夠隔離,并且提供了一種使用該開關的TMA。
本發明的另一個目的是提供一種DPDT射頻開關,其能夠用于TDD系統 的傳輸/接收切換,以便在天線開路(open)情況下,有效地阻止發射功率進入 接收端子,即使在用于控制操作的DC電源中發生異常時也是如此,并且提供 了一種使用該開關的TMA。
本發明的又一個目的是提供一種DPDT射頻開關,其能夠在大功率下穩定 工作,并且提供了一種使用該開關的TMA。
本發明的又一個目的是提供一種DPDT射頻開關,其可以容易地以微波集 成電路(MIC)的形式制造,并且提供了一種使用該開關的TMA。
本發明的又一個目的是提供一種DPDT射頻開關,其可以用在大于幾十 GHz的高頻帶以及用在移動通信頻帶,并且提供了一種使用該開關的TMA。
技術方案
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