[發明專利]互穿聚合物網絡結構體及研磨墊以及它們的制造方法

有效

• 申請號: 200680055460.8
• 申請日: 2006-07-28
• 公開（公告）號: CN101501112A
• 公開（公告）日: 2009-08-05
• 發明（設計）人: 田畑憲一;橋阪和彥;杉村正宏;坂本卓夫;上真樹;中山裕之;福田誠司
• 申請（專利權）人: 東麗株式會社
• 主分類號: C08J5/14
• 分類號: C08J5/14;C08J9/36;B24B37/00;H01L21/304
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 楊宏軍

1.一種互穿聚合物網絡結構體的制造方法，所述互穿聚合物網 絡結構體的制造方法包含以下工序：使高分子成型體中含浸含有烯鍵 式不飽和化合物及自由基聚合引發劑的自由基聚合性組合物的工序、 及在含浸所述自由基聚合性組合物的高分子成型體的膨潤狀態下使 所述烯鍵式不飽和化合物聚合的工序，其中，在使高分子成型體中含 浸自由基聚合性組合物的工序之前，將鏈轉移劑及/或自由基聚合抑 制劑添加到所述自由基聚合性組合物及/或所述高分子成型體中。

2.如權利要求1所述的互穿聚合物網絡結構體的制造方法，其中， 向所述高分子成型體中添加鏈轉移劑及/或自由基聚合抑制劑。

3.如權利要求1所述的互穿聚合物網絡結構體的制造方法，其中， 鏈轉移劑及/或自由基聚合抑制劑的分子量為350以下。

4.如權利要求1所述的互穿聚合物網絡結構體的制造方法，其中， 所述鏈轉移劑是選自具有碳原子數3～12的烷基的硫醇及芳香族烴類 鏈轉移劑中的1種以上的化合物。

5.如權利要求2所述的互穿聚合物網絡結構體的制造方法，其中， 向所述高分子成型體中，相對于100重量％所述高分子成型體，添加 0.01～20重量％所述鏈轉移劑。

6.如權利要求1所述的互穿網絡結構體的制造方法，其中，所述 自由基聚合抑制劑為具有至少1個以上芳香環及羥基的1種以上的化 合物。

7.如權利要求1所述的互穿網絡結構體的制造方法，其中，烯鍵 式不飽和化合物是選自甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯 酸異丙酯及甲基丙烯酸叔丁酯中的化合物。

8.如權利要求1所述的互穿網絡結構體的制造方法，其中，在氧 氣或含氧氣體存在下使烯鍵式不飽和化合物聚合。

9.一種研磨墊的制造方法，包含使用通過權利要求1～8中任一 項所述的方法得到的互穿聚合物網絡結構體制作研磨墊的工序。

10.一種研磨墊，所述研磨墊由含有高分子成型體及烯鍵式不飽 和化合物的聚合物的互穿聚合物網絡結構體構成，厚度1mm以上，直 徑300mm以上，其中，高分子成型體相對于高分子成型體和烯鍵式不 飽和化合物聚合物的總重量的平均重量比為X％時，研磨墊的任意位 置的高分子成型體的重量比在X±3％的范圍內。

11.如權利要求10所述的研磨墊，拉伸斷裂強度為13MPa以上。

12.如權利要求10所述的研磨墊，拉伸斷裂伸長率為150％以上。

13.如權利要求10所述的研磨墊，具有平均氣泡直徑為10～230μm 的獨立氣泡。

14.如權利要求10所述的研磨墊，表觀密度為0.2～1.1g/cm³。

15.如權利要求10所述的研磨墊，其中，高分子成型體和烯鍵式 不飽和化合物聚合物的重量比為100/5～100/300。

16.一種半導體裝置的制造方法，包含使用權利要求10所述的研 磨墊研磨半導體襯底表面的步驟。