[發(fā)明專利]互穿聚合物網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)體及研磨墊以及它們的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680055460.8
• 申請(qǐng)日: 2006-07-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101501112A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-08-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田畑憲一;橋阪和彥;杉村正宏;坂本卓夫;上真樹(shù);中山裕之;福田誠(chéng)司
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東麗株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C08J5/14
• 分類號(hào): C08J5/14;C08J9/36;B24B37/00;H01L21/304
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所
• 代理人: 楊宏軍

1.一種互穿聚合物網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)體的制造方法，所述互穿聚合物網(wǎng) 絡(luò)結(jié)構(gòu)體的制造方法包含以下工序：使高分子成型體中含浸含有烯鍵 式不飽和化合物及自由基聚合引發(fā)劑的自由基聚合性組合物的工序、 及在含浸所述自由基聚合性組合物的高分子成型體的膨潤(rùn)狀態(tài)下使 所述烯鍵式不飽和化合物聚合的工序，其中，在使高分子成型體中含 浸自由基聚合性組合物的工序之前，將鏈轉(zhuǎn)移劑及/或自由基聚合抑 制劑添加到所述自由基聚合性組合物及/或所述高分子成型體中。

2.如權(quán)利要求1所述的互穿聚合物網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中， 向所述高分子成型體中添加鏈轉(zhuǎn)移劑及/或自由基聚合抑制劑。

3.如權(quán)利要求1所述的互穿聚合物網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中， 鏈轉(zhuǎn)移劑及/或自由基聚合抑制劑的分子量為350以下。

4.如權(quán)利要求1所述的互穿聚合物網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中， 所述鏈轉(zhuǎn)移劑是選自具有碳原子數(shù)3～12的烷基的硫醇及芳香族烴類 鏈轉(zhuǎn)移劑中的1種以上的化合物。

5.如權(quán)利要求2所述的互穿聚合物網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中， 向所述高分子成型體中，相對(duì)于100重量％所述高分子成型體，添加 0.01～20重量％所述鏈轉(zhuǎn)移劑。

6.如權(quán)利要求1所述的互穿網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中，所述 自由基聚合抑制劑為具有至少1個(gè)以上芳香環(huán)及羥基的1種以上的化 合物。

7.如權(quán)利要求1所述的互穿網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中，烯鍵 式不飽和化合物是選自甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯 酸異丙酯及甲基丙烯酸叔丁酯中的化合物。

8.如權(quán)利要求1所述的互穿網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)體的制造方法，其中，在氧 氣或含氧氣體存在下使烯鍵式不飽和化合物聚合。

9.一種研磨墊的制造方法，包含使用通過(guò)權(quán)利要求1～8中任一 項(xiàng)所述的方法得到的互穿聚合物網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)體制作研磨墊的工序。

10.一種研磨墊，所述研磨墊由含有高分子成型體及烯鍵式不飽 和化合物的聚合物的互穿聚合物網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)體構(gòu)成，厚度1mm以上，直 徑300mm以上，其中，高分子成型體相對(duì)于高分子成型體和烯鍵式不 飽和化合物聚合物的總重量的平均重量比為X％時(shí)，研磨墊的任意位 置的高分子成型體的重量比在X±3％的范圍內(nèi)。

11.如權(quán)利要求10所述的研磨墊，拉伸斷裂強(qiáng)度為13MPa以上。

12.如權(quán)利要求10所述的研磨墊，拉伸斷裂伸長(zhǎng)率為150％以上。

13.如權(quán)利要求10所述的研磨墊，具有平均氣泡直徑為10～230μm 的獨(dú)立氣泡。

14.如權(quán)利要求10所述的研磨墊，表觀密度為0.2～1.1g/cm³。

15.如權(quán)利要求10所述的研磨墊，其中，高分子成型體和烯鍵式 不飽和化合物聚合物的重量比為100/5～100/300。

16.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包含使用權(quán)利要求10所述的研 磨墊研磨半導(dǎo)體襯底表面的步驟。