[發(fā)明專利]基板檢查及修正裝置、以及基板評估系統(tǒng)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680054826.X | 申請日: | 2006-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN101461063A | 公開(公告)日: | 2009-06-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 中谷敦夫;筱原真;黑田晉一;今井大輔 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社島津制作所 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G01N21/88;G01N23/225;G02F1/13;G02F1/1368;G09F9/00;H01L21/3205;H01L21/66;H01L23/52;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 壽 寧 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 檢查 修正 裝置 以及 評估 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于液晶、有機(jī)EL(Electroluminescence,電致發(fā)光)等中的TFT(Thin?Film?Transistor,薄膜晶體管)陣列基板的制造步驟及檢查步驟,而且涉及對基板進(jìn)行缺陷檢查、并對由缺陷檢查檢測出的缺陷進(jìn)行修正的裝置,以及,根據(jù)對基板進(jìn)行缺陷檢查及修正所得的缺陷數(shù)據(jù)或檢查數(shù)據(jù)來對基板進(jìn)行評估,進(jìn)而根據(jù)這些缺陷數(shù)據(jù)或檢查數(shù)據(jù)而反饋給基板的制造步驟的基板評估系統(tǒng)。?
背景技術(shù)
TFT陣列例如用作對液晶顯示裝置或有機(jī)EL顯示裝置的像素電極進(jìn)行選擇的開關(guān)元件(switching?element)。?
在液晶基板或有機(jī)EL基板等的形成著TFT陣列的半導(dǎo)體基板的制造過程中,如圖4所示,制造過程中包括:對基板的TFT陣列等進(jìn)行檢查的檢查步驟(S100),對檢查步驟中發(fā)現(xiàn)的基板缺陷進(jìn)行修正的步驟(S200),以及對已修正的缺陷進(jìn)行重新檢查的步驟(S300)。?
作為TFT陣列基板的檢查,除了設(shè)在TFT陣列基板的制造步驟之后而單獨作為TFT陣列基板檢查步驟以外,也有時在制造步驟中進(jìn)行。該TFT陣列基板檢查過程中,對TFT陣列基板上所產(chǎn)生的TFT陣列中的例如短路、斷線或附著物等缺陷的有無、位置、缺陷類型等進(jìn)行判定并進(jìn)行分類。?
可以通過觀察液晶或有機(jī)EL的顯示狀態(tài)而對TFT陣列進(jìn)行缺陷檢測,當(dāng)通過觀察顯示狀態(tài)來對TFT陣列進(jìn)行檢查時,例如對于液晶面板而言,必須在TFT陣列基板與相對電極之間夾著液晶層的液晶顯示裝置的狀態(tài)下進(jìn)行檢查。?
另外,在未形成液晶顯示裝置的半成品的狀態(tài)下進(jìn)行檢查時,必須將具有液晶層和相對電極的檢查工具安裝在TFT陣列基板上,對TFT陣列輸入用于缺陷檢測的驅(qū)動信號,利用將此時的電壓狀態(tài)與正常狀態(tài)的信號進(jìn)行比較等的數(shù)據(jù)處理,來求出表示缺陷的位置坐標(biāo)或缺陷狀態(tài)的缺陷數(shù)據(jù)。?
該TFT陣列中,因掃描線(柵極線)或信號線(源極線)的斷線、掃描線(柵極線)與信號線(源極線)的短路、用來驅(qū)動像素的TFT的特性不良而引起的像素缺陷等的缺陷檢查,可例如通過以下方式來進(jìn)行:?將相對電極接地,對柵極線的全部或者一部分以預(yù)定間隔施加例如-15V~+15V的直流電壓,對源極線的全部或者一部分施加檢查信號。(例如,專利文獻(xiàn)1所揭示的背景技術(shù)。)?
由缺陷檢測所獲得的缺陷數(shù)據(jù)除了用于對各基板進(jìn)行缺陷檢測以外,還可通過對缺陷數(shù)據(jù)進(jìn)行解析,查明所述缺陷的原因,反饋給基板的制造過程。?
眾所周知,可使用電子線來對TFT陣列進(jìn)行缺陷檢測。在使用該電子線進(jìn)行TFT陣列檢查的過程中,利用檢查圖案,一邊驅(qū)動TFT陣列一邊對像素(ITO(Indium-tin-oxide,氧化銦錫)電極)照射電子線,對由該電子線照射所放射出的二次電子進(jìn)行檢測,由此,將施加在像素(ITO電極)上的電壓波形轉(zhuǎn)換成二次電子波形,且根據(jù)信號使其形成為圖像,由此對TFT陣列進(jìn)行電性檢查。?
這些步驟通過缺陷檢查裝置、缺陷修正裝置等獨立的裝置來進(jìn)行,當(dāng)在基板的生產(chǎn)線上進(jìn)行所述各個步驟時,按照步驟依次配置這些裝置,以沿著生產(chǎn)線來運送基板。?
圖5是用以對現(xiàn)有的基板檢查中的裝置結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明的概略結(jié)構(gòu)圖。?
圖5中,從基板生產(chǎn)線的上游向下游配置著陣列檢查裝置20和修正裝置30,各個裝置與主機(jī)服務(wù)器(host?server)50之間進(jìn)行數(shù)據(jù)的發(fā)送接收。?
首先,將前段步驟中形成了陣列的基板100,投入到陣列檢查裝置20中。陣列檢查裝置20使用從主機(jī)服務(wù)器50所獲得的關(guān)于基板的位置數(shù)據(jù)來進(jìn)行對準(zhǔn),之后進(jìn)行陣列檢查。陣列檢查例如使用電子光束等的輸入探針來對基板面進(jìn)行掃描,并根據(jù)所得的檢測信號來進(jìn)行缺陷檢查,將缺陷檢查的結(jié)果以數(shù)據(jù)的形式發(fā)送到主機(jī)服務(wù)器50,并運出基板100。?
其次,將從陣列檢查裝置20運出的基板100投入到修正裝置30中。修正裝置30從主機(jī)服務(wù)器50獲得缺陷檢查的結(jié)果,并根據(jù)所述檢查數(shù)據(jù)來對缺陷部位進(jìn)行修正,將修正結(jié)果以數(shù)據(jù)的形式發(fā)送到主機(jī)服務(wù)器50,然后運出基板100。?
將從修正裝置30運出的基板100再次投入到陣列檢查裝置20中,對缺陷部分的修正狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。?
專利文獻(xiàn)1:日本專利特開平5-307192號公報?
以前,陣列檢查裝置以及修正裝置分別由獨立的裝置而構(gòu)成,因此在基板相對于各裝置的運出送入、裝置內(nèi)的基板的對準(zhǔn)等的與基板移動相關(guān)的方面、以及在各裝置與設(shè)在中央的系統(tǒng)服務(wù)器之間進(jìn)行發(fā)送接收數(shù)據(jù)的相關(guān)方面存在問題。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺
- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 圖片顯示方法以及裝置以及移動終端
- ENB以及UEUL發(fā)送以及接收的方法
- X射線探測方法以及裝置以及系統(tǒng)
- 圖書信息錄入方法以及系統(tǒng)以及書架
- 護(hù)耳器以及口罩以及眼鏡





