[發明專利]用于使用毫米波信號進行通信的毫米波反射器天線系統和方法有效
| 申請號: | 200680054334.0 | 申請日: | 2006-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN101427420A | 公開(公告)日: | 2009-05-06 |
| 發明(設計)人: | S·M·阿拉穆蒂;A·A·馬爾采夫;N·V·奇斯佳科夫;小A·A·馬爾采夫;V·S·謝爾蓋耶夫 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H01Q3/26 | 分類號: | H01Q3/26;H01Q3/30;H01Q19/17 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人: | 王 英 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 使用 毫米波 信號 進行 通信 反射 天線 系統 方法 | ||
1.一種集成毫米波片陣列反射器天線系統,包括:
毫米波反射器,用以成形和反射入射天線波束;
包括陶瓷基底或電阻性多晶硅電介質基底上的天線單元陣列的片陣列 天線,被配置成生成所述入射天線波束和在所述反射器的表面上掃描所述 入射天線波束,以便在波束掃描角度上提供可調天線波束;
控制單元,在半導體管芯上,用來控制由所述天線單元發送的信號的 幅度和相位,以在所述反射器的所述表面上掃描所述入射天線波束,所述 半導體管芯與所述陶瓷或所述多晶硅電介質基底集成,
其中所述表面由第一平面中的基本圓形弧和第二平面中的基本拋物線 弧或橢圓形弧來限定,以提供在方位角上具有發散方向圖而在仰角上具有 基本非發散方向圖的所述可調天線波束。
2.根據權利要求1所述的集成毫米波片陣列反射器天線系統,
其中所述毫米波反射器還被限定在第二平面中,以提供在仰角上具有 基本正切平方方向圖的所述可調天線波束。
3.根據權利要求1所述的集成毫米波片陣列反射器天線系統,在所述 第二平面中具有基本拋物線弧,
其中所述反射器是關于所述基本拋物線弧非對稱的;并且
其中所述基本拋物線弧的頂點位于所述反射器的所述表面以外。
4.根據權利要求1所述的集成毫米波片陣列反射器天線系統,在所述 第二平面中具有基本拋物線弧,
其中所述片陣列天線位于所述基本拋物線弧的焦點處或其焦點附近, 所述基本拋物線弧是所述表面的母線;并且
其中選擇所述片陣列天線相對于所述基本拋物線弧的焦點的位置,以 減少所述可調天線波束的旁瓣。
5.根據權利要求1所述的集成毫米波片陣列反射器天線系統,包括:
毫米波折射材料,用來填充所述毫米波反射器與所述片陣列天線之間 的空間。
6.一種用于利用集成毫米波片陣列反射器天線系統傳輸毫米波信號的 方法,包括:
利用包括陶瓷基底或電阻性多晶硅電介質基底上的天線單元陣列的片 陣列天線來生成入射天線波束;
在毫米波反射器的表面上掃描所述入射天線波束;以及
利用所述毫米波反射器來成形和反射所述入射天線波束,以便在多個 波束掃描角度上提供可調天線波束用于與一個或多個用戶設備進行通信,
其中所述集成毫米波片陣列反射器天線系統包括:
所述毫米波反射器;
所述片陣列天線;以及
控制單元,在半導體管芯上,用來控制由所述天線單元發送 的信號的幅度和相位,以在所述反射器的所述表面上掃描所述入 射天線波束,所述半導體管芯與所述陶瓷或所述多晶硅電介質基 底集成,
其中所述表面由第一平面中的基本圓形弧和第二平面中的 基本拋物線弧或橢圓形弧來限定,以提供在方位角上具有發散方 向圖而在仰角上具有基本非發散方向圖的所述可調天線波束。
7.根據權利要求6所述的方法,還包括:
控制由所述天線單元發送的信號的幅度和相位,以在所述反射器的所 述表面上掃描所述入射天線波束。
8.根據權利要求6所述的方法,
其中所述毫米波反射器還被限定在第二平面中,以提供在仰角上具有 基本正切平方方向圖的所述可調天線波束。
9.根據權利要求6所述的方法,
其中所述第二平面中的弧是基本拋物線弧,并且其中所述反射器是關 于所述基本拋物線弧非對稱的;并且
其中所述基本拋物線弧的頂點位于所述反射器的所述表面以外。
10.根據權利要求6所述的方法,
其中所述第二平面中的弧是基本拋物線弧;
其中所述片陣列天線位于所述基本拋物線弧的焦點處或其焦點附近, 所述基本拋物線弧是所述表面的母線;并且
其中選擇所述片陣列天線相對于所述基本拋物線弧的焦點的位置,以 減少所述可調天線波束的旁瓣。
11.根據權利要求6所述的方法,其中所述毫米波片陣列反射器天線 系統還包括:
毫米波折射材料,用來填充所述毫米波反射器與所述片陣列天線之間 的空間。
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