[發明專利]自動增益控制電路及低噪聲放大電路

無效

• 申請號: 200680054329.X
• 申請日: 2006-11-29
• 公開（公告）號: CN101427462A
• 公開（公告）日: 2009-05-06
• 發明（設計）人: 石黑和久
• 申請（專利權）人: 新瀉精密株式會社;株式會社理光
• 主分類號: H03G3/20
• 分類號: H03G3/20;H03G3/30;H03F1/26
• 代理公司: 上海三和萬國知識產權代理事務所
• 代理人: 王禮華

1.一種自動增益控制電路，其特征在于：

該自動增益控制電路包括：

高頻放大電路，以可變地設定的增益對接收的高頻信號放大；

衰減電路，以可變地設定的衰減度控制所述接收的高頻信號；以及

旁路開關，與所述衰減電路串聯連接；

其中，包含所述衰減電路及所述旁路開關的串聯電路的輸入輸出節點和所述高頻放大電路的輸入輸出節點分別連結，并聯連接所述串聯電路和所述高頻放大電路。

2.按照權利要求1所述的自動增益控制電路，其特征在于，所述高頻放大電路包括：

作為用于放大輸入信號的放大器工作的MOS晶體管；以及

用于控制所述放大器的電流路徑的導通/切斷的MOS晶體管。

3.按照權利要求1所述的自動增益控制電路，其特征在于：

所述高頻放大電路包括：

第一nMOS晶體管，作為用于放大輸入信號的源極接地放大器工作；

第二nMOS晶體管及第三nMOS晶體管，用于控制所述第一nMOS晶體管的電流路徑的導通/切斷；以及

第四nMOS晶體管，與所述第一nMOS晶體管級聯連接；

其中，所述第二nMOS晶體管與所述第一nMOS晶體管串聯連接，并且所述第二nMOS晶體管的源極接地；

所述第三nMOS晶體管的漏極與所述第四nMOS晶體管的柵極連接，并且所述第三nMOS晶體管的源極接地；

預定控制信號施加至所述第三nMOS晶體管的柵極，并且反轉所述預定控制信號的邏輯的信號施加至所述第二nMOS晶體管的柵極。

4.按照權利要求3所述的自動增益控制電路，其特征在于：

pMOS晶體管經由負荷阻抗與所述第一nMOS晶體管串聯連接，并且所述pMOS晶體管的源極連接至電源；

所述預定控制信號施加至所述pMOS晶體管的柵極。

5.按照權利要求3或者權利要求4所述的自動增益控制電路，其特征在于：

所述預定控制信號為用于控制所述旁路開關的接通/切斷的控制信號。

6.一種低噪聲放大電路，其特征在于，包括：

作為用于放大輸入信號的放大器工作的MOS晶體管；以及

用于控制所述放大器的電流路徑的導通/切斷的MOS晶體管。

7.一種低噪聲放大電路，其特征在于：

該低噪聲放大電路包括：

第一nMOS晶體管，作為用于放大輸入信號的源極接地放大器工作；

第二nMOS晶體管及第三nMOS晶體管，用于控制所述第一nMOS晶體管的電流路徑的導通/切斷；以及

第四nMOS晶體管，與所述第一nMOS晶體管級聯連接；

其中，所述第二nMOS晶體管與所述第一nMOS晶體管串聯連接，并且所述第二nMOS晶體管的源極接地；

所述第三nMOS晶體管的漏極與所述第四nMOS晶體管的柵極連接，并且所述第三nMOS晶體管的源極接地；

預定控制信號施加至所述第三nMOS晶體管的柵極，并且反轉所述預定控制信號的邏輯的信號施加至所述第二nMOS晶體管的柵極。

8.按照權利要求7所述的低噪聲放大電路，其特征在于：

pMOS晶體管經由負荷阻抗與所述第一nMOS晶體管串聯連接，并且所述pMOS晶體管的源極連接至電源；

所述預定控制信號施加至所述pMOS晶體管的柵極。