[發(fā)明專利]用于在開關應用中使用的電子濾波器和電路無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680054315.8 | 申請日: | 2006-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN101427464A | 公開(公告)日: | 2009-05-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | T·翁 | 申請(專利權)人: | C10通信私人有限公司 |
| 主分類號: | H03H7/12 | 分類號: | H03H7/12;H03H9/46 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人: | 程 偉;王錦陽 |
| 地址: | 澳大利亞新*** | 國省代碼: | 澳大利亞;AU |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 開關 應用 使用 電子 濾波器 電路 | ||
1、一種電子濾波器,其包括:
濾波器部;
阻抗校正部,其電連接到所述濾波器部;以及
電路改變部,其被布置成改變所述阻抗校正部的至少一個性質(zhì),以實現(xiàn)所述阻抗校正部的諧振頻率從與所述濾波器部的通帶到所述濾波器部的阻帶內(nèi)的偏移。
2、根據(jù)權利要求1所述的電子濾波器,其中,所述電路改變部被布置成改變所述濾波器部的至少一個性質(zhì),以實現(xiàn)所述濾波器部的阻帶阻抗的增加。
3、根據(jù)權利要求2所述的電子濾波器,其中,所述濾波器部的所述性質(zhì)包括電容,并且其中,所述電路改變部被布置成通過將所述電容減小到比零法拉大的值來實現(xiàn)阻帶阻抗的增加。
4、根據(jù)權利要求3所述的電子濾波器,其中,所述電路改變部被布置成基于用戶線回路電流來改變所述阻抗校正部的性質(zhì)并改變所述濾波器部的性質(zhì)。
5、根據(jù)權利要求4所述的電子濾波器,其中,所述阻抗校正部的性質(zhì)包括阻尼電阻和電容,并且其中,所述電路改變部被布置成通過減小所述電容來實現(xiàn)所述諧振頻率的偏移,并且其中,所述電路改變部進一步被布置成增加所述阻尼電阻。
6、根據(jù)權利要求5所述的電子濾波器,其中,所述濾波器部包括:按照使得與通帶和阻帶相關聯(lián)的截止頻率為約12KHz的方式布置的多個級聯(lián)低通濾波器。
7、根據(jù)權利要求6所述的電子濾波器,其中,所述阻抗校正部包括:并聯(lián)諧振電路,其電連接到級聯(lián)低通濾波器的第一個和級聯(lián)低通濾波器的第二個。
8、根據(jù)權利要求7所述的電子濾波器,其中,所述電路開關部包括:至少一個半導體裝置,其被布置成改變所述阻抗校正部的性質(zhì)并改變所述濾波器部的性質(zhì)。
9、一種電子濾波器,其包括:
濾波器部;以及
電路改變部,其被布置成改變所述濾波器部的至少一個性質(zhì),以實現(xiàn)所述濾波器部的阻帶阻抗的增加。
10、根據(jù)權利要求9所述的電子濾波器,其中,所述濾波器部進一步包括阻抗校正部,并且其中,所述電路改變部被布置成改變所述阻抗校正部的至少一個性質(zhì),以實現(xiàn)所述阻抗校正部的諧振頻率從所述濾波器部的通帶內(nèi)到所述濾波器部的阻帶內(nèi)的偏移。
11、根據(jù)權利要求10所述的電子濾波器,其中,所述濾波器部的性質(zhì)包括電容,并且其中,所述電路改變部被布置成通過將所述電容減小到比零法拉大的值來實現(xiàn)阻帶阻抗的增大。
12、根據(jù)權利要求11所述的電子濾波器,其中,所述電路改變部被布置成基于用戶線回路電流來改變所述阻抗校正部的性質(zhì)并改變所述濾波器部的性質(zhì)。
13、根據(jù)權利要求12所述的電子濾波器,其中,所述阻抗校正部的性質(zhì)包括阻尼電阻和電容,并且其中,所述電路改變部被布置成通過減小所述電容來實現(xiàn)諧振頻率的偏移,并且其中,所述電路改變部被布置成增加阻尼電阻。
14、根據(jù)權利要求13所述的電子濾波器,其中,所述濾波器部包括按照使得與通帶和阻帶相關聯(lián)的截止頻率為約12KHz的方式布置的多個級聯(lián)低通濾波器。
15、根據(jù)權利要求14所述的電子濾波器,其中,所述阻抗校正部包括:并聯(lián)諧振電路,其電連接到級聯(lián)低通濾波器的第一個和級聯(lián)低通濾波器的第二個。
16、根據(jù)權利要求15所述的電子濾波器,其中,所述電路開關部包括:至少一個半導體裝置,其被布置成改變所述阻抗校正部的性質(zhì)并改變所述濾波器部的性質(zhì)。
17、一種用于在開關應用中使用的電路,該電路包括:
晶體管開關布置,其包括第一類型的半導體基區(qū);以及
半導體裝置,其具有包括電連接到所述半導體基區(qū)的所述第一類型的半導體區(qū)的pn結構。
18、根據(jù)權利要求17所述的電路,其中,所述半導體裝置包括:晶體管激勵器布置,其被布置成使所述晶體管開關布置在開狀態(tài)與關狀態(tài)之間切換。
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