[發明專利]導電性金屬氧化物薄膜的除去方法及裝置無效
| 申請號: | 200680054217.4 | 申請日: | 2006-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN101416283A | 公開(公告)日: | 2009-04-22 |
| 發明(設計)人: | 大工博之;井上鐵也;椙本孝信 | 申請(專利權)人: | 日立造船株式會社;日立造船精密科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/3063 | 分類號: | H01L21/3063;C03C23/00;C25F3/02 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 馮 雅 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導電性 金屬 氧化物 薄膜 除去 方法 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及將例如通過濺射蒸鍍等形成于基材的導電性金屬氧化物薄膜除去、使其能夠被再利用的方法及實施該方法的裝置。
背景技術
例如,形成有ITO(銦和錫的氧化物,具有透明導電性的膜)的高功能玻璃基板具有良好的光學性能(透射率等)和機械性能(平坦度等),被用于例如平板顯示器。但是,由于該高功能玻璃基板的價格高,因此在其表面形成的ITO無法滿足質量管理標準時,通過將該ITO除去,以便再利用來降低成本。
作為除去該ITO等導電性金屬氧化物薄膜的方法,有通過機械蹭擦而除去的方法或通過化學刻蝕而除去的方法。其中,前一種方法如圖11所示,利用研磨刷2將形成于被加工物1的表面的導電性金屬氧化物薄膜1a通過蹭擦來除去。
另外,后一種方法如圖12所示,將被加工物1浸漬于通過化學反應可使導電性金屬氧化物薄膜1a溶解的化學試劑3中,藉此除去形成于被加工物1的表面的導電性金屬氧化物薄膜1a(例如,參照專利文獻1、2)。
專利文獻1:日本專利特開平6-321581號公報
專利文獻2:日本專利特開平9-86968號公報
發明的揭示
但是,通過機械蹭擦而除去的方法由于是用研磨刷蹭擦,因此有時會在被加工物的表面留下蹭擦痕跡(瑕疵)或產生應力變形。留下了蹭擦痕跡時就無法再利用了。此外,作為對象物的被加工物為平板顯示器時,由于玻璃基板的玻璃厚度為0.5mm左右,因此,利用接觸方式的機械蹭擦有產生破碎的可能性。所以,必須要進行微細的研磨刷的壓力調整,完全剝離需較長時間。
另一方面,通過化學刻蝕而除去的方法由于使用了強酸或強堿這樣的化學試劑,因此,有時在基板表面產生化學應力,在基板表面生成變質層。另外,處理時要十分的注意,不僅操作性差,而且必須要對使用后的電解液進行廢液處理。此外,為了回收稀有金屬,必須另外進行提取操作,因此非常不經濟。
本發明要解決的問題是,在通過機械蹭擦的方法中,因產生蹭擦痕跡或應力變形而使基材無法再利用,且必須要進行研磨刷的微細的壓力調整,要完全剝離需要長時間等問題;在通過化學刻蝕的方法中,基板表面有時會生成變質層,不僅操作性變差,且必須對使用后的電解液進行廢液處理,為了回收稀有金屬,還要另外進行提取操作而不經濟等問題。
為了盡量不在基材殘留蹭擦痕跡和應力變形等,且不使用強酸或強堿這樣的化學試劑就能夠將基材的導電性金屬氧化物薄膜有效地除去,達到即使在基材的端部也沒有殘留膜的程度,本發明的導電性金屬氧化物薄膜的除去方法具有以下的最主要的特征:
將正電極和第1負電極與形成于基材表面的導電性金屬氧化物薄膜對向并以非接觸狀態并排設置,同時在所述第1負電極的前段或后段或前段及后段,將第2負電極與形成于基材表面的導電性金屬氧化物薄膜對向并以接觸狀態在所述導電性金屬氧化物薄膜的寬度方向設置多個,然后,以在所述正電極、第1負電極、第2負電極和所述導電性金屬氧化物薄膜間存在電解液的狀態,對所述正電極、第1負電極、第2負電極施加電壓,使形成于基材表面的導電性金屬氧化物薄膜相對于所述正電極、第1負電極、第2負電極進行移動,使得導電性金屬氧化物薄膜在通過第1負電極、第2負電極后通過正電極,藉此利用還原反應除去所述基材表面的導電性金屬氧化物薄膜。
所述本發明的導電性金屬氧化物薄膜的除去方法中,在正電極和第1負電極之間,將第2負電極在所述導電性金屬氧化物薄膜的寬度方向以接觸狀態配置多個,藉此可將形成于基材表面的導電性金屬氧化物薄膜除去,達到即使在基材的端部也沒有殘留膜的程度。
所述本發明的導電性金屬氧化物薄膜的除去方法中,作為所述正電極和第1負電極,也可使用比導電性金屬氧化物薄膜的寬幅窄的配置成鋸齒狀(staggered?configuration)的電極。
所述本發明的導電性金屬氧化物薄膜的除去方法中,通過使用電阻率為102Ω·cm~106Ω·cm的電解液,可有效地除去形成于基材表面的導電性金屬氧化物薄膜。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





