[發(fā)明專利]用于玻璃基板的靜電吸引設備和吸引和釋放玻璃基板的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680053935.X
• 申請日: 2006-12-26
• 公開（公告）號: CN101401198A
• 公開（公告）日: 2009-04-01
• 發(fā)明（設計）人: 加藤光雄;堀江茂齊;青井辰史;河野將樹;津元良公;小笠原弘明;小林敏郎
• 申請（專利權）人: 三菱重工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H02N13/00;B65G49/06
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 王新華

技術領域

本發(fā)明涉及一種用于玻璃基板的靜電吸引(或靜電吸附)設備，和一 種吸引和釋放(或吸附和釋放)玻璃基板的方法。

背景技術

當在半導體基板或玻璃基板上進行處理時，半導體基板或玻璃基板被 可靠地保持，同時通過利用靜電吸引力的靜電吸引設備被吸引到支撐臺。

專利文獻1：JP-A06-085045

專利文獻2：JP-A09-213780

專利文獻3：JP-A11-340307

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術問題

圖7(a)和圖7(b)中示出了用于玻璃基板的常規(guī)靜電吸引設備。

用于玻璃基板的常規(guī)靜電吸引設備包括：陶瓷吸引板(或吸附板)33， 多個正電極31和多個負電極32設置在該陶瓷吸引板33內(nèi)；用于將正的直流 電壓供給正電極31的正電壓電源單元34；和用于將負的直流電壓供給負電 極32的負電壓電源單元35。

為了吸引(或吸附)玻璃基板41，使玻璃基板41與吸引板33的表面接 觸，并且從正電壓電源單元34將直流電壓施加給正電極31，和從負電壓電 源單元35將直流電壓施加給負極32，以在吸引板33和玻璃基板44的相互面 對的表面上生成具有不同極性的電荷。通過使用由這些電荷生成的靜電吸 引力(或吸附力)，基板41被吸引并保持在吸引板33的表面。例如，如圖7 (b)所示，雙極靜電吸引設備包括交替平行布置在吸引板33內(nèi)的多個正 電極31和多個負電極32，由此而可靠地吸附甚至大尺寸玻璃基板。具體地， 在用于有機EL(電致發(fā)光)元件的真空沉積設備的情況下，因為在某些情 況下基板41應該支撐在吸引板33的垂直下表面上，所以靜電吸引設備要求 具有等于或大于基板41的重量的吸引力。

在常規(guī)的靜電吸引設備中，在吸引的時候所施加的電壓被設為定值， 并且如圖8所示，吸引力隨時間增加。相反，當從吸引板33釋放基板41時， 所具有的問題是釋放基板41花費時間。

然而，如上所述，要求等于或大于玻璃基板41的重量的吸引力以將基 板41吸引到吸引板33的下表面?zhèn)取Ｓ捎诋敳ＡЩ?1的重量使其自身變形 時在吸引板33和玻璃基板41之間產(chǎn)生間隙，所以會產(chǎn)生不能得到所期望的 吸引力的情況。這里，例如，在玻璃基板41的寬度大約為600mm的情況下， 測量了由于玻璃基板41自身的重量而使其產(chǎn)生的變形。結果，如圖9所示 (a)，玻璃基板41的中心部被偏斜，并且在中心部與端部之間生成大約 2mm的差。而且，如圖9(b)所示，吸引力和吸引板33與玻璃基板41之間 的間隙有關系。吸引力隨著吸引板33與玻璃基板41之間的間隙的增加而減 小。當間隙等于或大于50μm時，即使吸引力大于其自身的重量，實際吸引 力也近似為0。因此，在玻璃基板41自身一定量的重量或更大的重量使其 變形的某些情況下，不能產(chǎn)生大于其自身重量的吸引力。尤其地，近年來 隨著玻璃基板41的尺寸的增加，該問題變得越來越嚴重。

而且，表面電勢通過正電極31和負電極32在吸引板33周圍生成。因此， 由于此表面電勢，粒子可以粘附到吸引板33。例如，當沿圖7(b)中的箭 頭測量吸引到吸引板33的玻璃基板41上的表面電勢時，所觀察到的是表面 電勢如圖10中所示被生成，并且具體地，在玻璃基板41的一個端部生成大 的表面電勢。由于此表面電勢，當粒子粘附到吸引板33的吸引表面時，例 如，在吸引板33和玻璃基板41之間可以生成間隙。因此，如先前所述，吸 引力可以被減小。與此同時，由于粒子存在于玻璃基板41周圍，因此當玻 璃基板41被吸引或釋放時，粒子可以粘附到玻璃基板41。因此，考慮到處 理，不期望在玻璃基板41周圍存在粒子。進一步，非常大的表面電勢還可 以對形成于玻璃基板41上的裝置起副作用。