[發明專利]鋁-硼太陽能電池接觸層有效
| 申請號: | 200680053918.6 | 申請日: | 2006-12-03 |
| 公開(公告)號: | CN101401189A | 公開(公告)日: | 2009-04-01 |
| 發明(設計)人: | 賈拉爾·薩拉米;斯里尼瓦桑·斯里德哈蘭;史蒂夫·S.·基姆;阿齊茲·S.·謝克 | 申請(專利權)人: | 費羅公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 | 代理人: | 鐘 晶 |
| 地址: | 美國俄*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 接觸 | ||
1.一種包含由混合物制成的接觸層的太陽能電池,其中,所述混合物在燒成之前包含:
a.至少一種鋁源;
b.至少一種硼源;以及
c.0.1~10wt%的玻璃組分;其中,所述玻璃組分不含有意添加的任何形式的鉛,并且其中所述玻璃組分包含:
(i)12~50摩爾%的Bi2O3;
(ii)25~65摩爾%的SiO2;
(iii)5~15摩爾%的B2O3;以及
(iv)4~26摩爾%的K2O;其中,鋁的含量為所述混合物的50wt%~85wt%,并且硼的含量為所述混合物的0.05~20wt%。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述鋁源選自由鋁金屬粉、鋁的合金、鋁鹽、有機金屬鋁、鋁的氧化物以及含鋁玻璃所組成的組。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述硼源選自由硼金屬粉、硼的合金、硼鹽、硼酸、有機金屬硼、硼的氧化物以及含硼玻璃所組成的組。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述鋁源包含鋁與選自以下所組成的組的金屬的合金:硼、硅、鎵、銦、銻、錫、鋅和鎂。
5.根據權利要求4所述的太陽能電池,其中,所述鋁合金包含60wt%~99.9wt%的鋁和0.1wt%~40wt%的硼。
6.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述玻璃組分進一步包含ZnO,其中ZnO的含量不超過55摩爾%。
7.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述玻璃組分進一步包含選自以下所組成的組的元素的三價氧化物:原子序數為57~71的元素、Al、Ga、In、Sc和Y以及它們的組合,其條件是所述三價氧化物的組合總量不超過25摩爾%。
8.根據權利要求7所述的太陽能電池,其中,所述玻璃組分進一步包含選自以下組的元素的氧化物:Li、Na、K、Sb以及它們的組合,其條件是所述元素的氧化物的組合總量不超過40摩爾%。
9.一種包含由混合物制成的接觸層的太陽能電池,其中,所述混合物在燒成之前包含:
a.至少一種鋁源;
b.至少一種硼源;以及
c.0.1~10wt%的玻璃組分;其中,所述玻璃組分不含有意添加的任何形式的鉛,其中,所述玻璃組分包含:
a.30~40摩爾%的(Li2O+Na2O+K2O);
b.2~26摩爾%的TiO2;以及
c.5~75摩爾%的(SiO2+B2O3);
其中,鋁的含量為所述混合物的50wt%~85wt%,并且硼的含量為所述混合物的0.05~20wt%。
10.根據權利要求9所述的太陽能電池,其中,所述玻璃組分進一步包含0.25~25摩爾%的(V2O5+P2O5+Sb2O5)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





