[發明專利]半導體元件的轉印方法和半導體裝置的制造方法以及半導體裝置

有效

• 申請號: 200680053839.5
• 申請日: 2006-12-13
• 公開（公告）號: CN101401195A
• 公開（公告）日: 2009-04-01
• 發明（設計）人: 竹井美智子;富安一秀;福島康守;高藤裕
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/02;H01L21/265;H01L21/324;H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍 淳

1.一種半導體元件的轉印方法，其是一種通過向半導體基板A注入氫離子或者稀有氣體離子并實施熱處理，將該半導體基板A中的包括所述半導體元件的被轉印層從形成有半導體元件的該半導體基板A中分離，將所述半導體元件制成芯片后，轉印至最終搭載該半導體元件的基板B上的半導體元件的轉印方法，其特征在于，包括：向形成有所述半導體元件的半導體基板A中的所述被轉印層的界面注入氫離子或者稀有氣體離子的離子注入工序；

以夾持所述半導體元件的方式，將形成有所述半導體元件的半導體基板A與臨時支撐基板C粘合在一起，并實施熱處理，其中，所述臨時支撐基板C具有因所述分離而在所述半導體元件的晶體管溝道中產生的結晶缺陷的恢復溫度以上的耐熱溫度，從所述半導體基板A分離所述被轉印層，從而將所述半導體元件轉印至所述臨時支撐基板C上的第一轉印工序；

在所述半導體元件的晶體管溝道中產生的結晶缺陷的恢復溫度以上的溫度下對轉印了所述半導體元件的臨時支撐基板C實施熱處理，使所述結晶缺陷恢復的結晶缺陷恢復工序；和

將所述半導體元件制成芯片，利用與所述第一轉印工序不同的方法將其轉印至所述基板B上的最終轉印工序。

2.如權利要求1所述的半導體元件的轉印方法，其特征在于：

包括在所述結晶缺陷恢復工序與最終轉印工序之間，以夾持所述半導體元件的方式，將所述臨時支撐基板C與具有由氫化非晶硅或者多孔硅構成的層a的臨時支撐基板D粘合在一起，通過蝕刻除去所述臨時支撐基板C，從而將所述半導體元件至少一次轉印至臨時支撐基板D上的再轉印工序，并且，

在所述最終轉印工序中，

將所述半導體元件在被轉印至所述臨時支撐基板D上的狀態下制成芯片，然后，以夾持所述半導體元件的方式，將該制成芯片的臨時支撐基板D與所述基板B粘合在一起，之后，通過對所述層a進行熱處理或者激光照射除去所述臨時支撐基板D，將制成芯片的所述半導體元件轉印至所述基板B上。

3.如權利要求1所述的半導體元件的轉印方法，其特征在于：包括在所述結晶缺陷恢復工序與最終轉印工序之間，以夾持所述半導體元件的方式，將所述臨時支撐基板C與具有粘合劑層的臨時支撐基板D粘合在一起，通過蝕刻除去所述臨時支撐基板C，從而將所述半導體元件至少一次轉印至臨時支撐基板D上的再轉印工序，并且，在所述最終轉印工序中，

將所述半導體元件在被轉印至所述臨時支撐基板D上的狀態下制成芯片，然后，以夾持所述半導體元件的方式，將該制成芯片后的臨時支撐基板D與所述基板B粘合在一起，之后，利用所述粘合劑層除去所述臨時支撐基板D，將制成芯片的所述半導體元件轉印至所述基板B上。

4.如權利要求1所述的半導體元件的轉印方法，其特征在于：

包括在所述結晶缺陷恢復工序與最終轉印工序之間，以夾持所述半導體元件的方式，將所述臨時支撐基板C與不同于所述臨時支撐基板C的其它的臨時支撐基板D粘合在一起，通過蝕刻除去所述臨時支撐基板C，從而將所述半導體元件至少一次轉印至臨時支撐基板D上的再轉印工序，并且，

在所述最終轉印工序中，

在被轉印至所述臨時支撐基板D上的狀態下將所述半導體元件制成芯片，然后，以夾持所述半導體元件的方式，將該制成芯片后的臨時支撐基板D與所述基板B粘合在一起，之后，蝕刻除去所述臨時支撐基板D，將制成芯片的所述半導體元件轉印至所述基板B上。

5.如權利要求1所述的半導體元件的轉印方法，其特征在于：

在所述最終轉印工序中，

在被轉印至所述臨時支撐基板C上的狀態下將所述半導體元件制成芯片，然后，以夾持所述半導體元件的方式，將該制成芯片的臨時支撐基板C與所述基板B粘合在一起，之后，蝕刻除去所述臨時支撐基板C，將制成芯片的所述半導體元件轉印至所述基板B上。

6.如權利要求1所述的半導體元件的轉印方法，其特征在于：

在所述第一轉印工序之前，包括在所述半導體元件上形成氧化硅膜的工序。

7.如權利要求1所述的半導體元件的轉印方法，其特征在于：

所述被轉印層的轉印面以及通過所述轉印粘合該被轉印層的各基板的轉印面的平坦度Rms是0.5nm以下，并且，波紋度是30μm以下。

8.如權利要求1所述的半導體元件的轉印方法，其特征在于：

所述結晶缺陷恢復工序中的熱處理溫度是700℃以上、900℃以下。